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規(guī)格型號(hào)
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參數(shù)描述
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購(gòu)買數(shù)量
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操作
產(chǎn)品說(shuō)明:FLASH - NOR 存儲(chǔ)器 IC 512Mb SPI - 四 I/O,QPI 133 MHz 16-SOIC
封裝:16-SOIC產(chǎn)品說(shuō)明:表面貼裝型 N 通道 700 V 8.5A(Tc) 6.9W(Tc) PG-SOT223
封裝:SOT-223產(chǎn)品說(shuō)明:采用TO247-3封裝的1200V 14mΩ CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說(shuō)明:TO-247PLUS-4-HCC封裝的CoolSiC? 2000 V SiC溝槽MOSFET
封裝:TO-247-4產(chǎn)品說(shuō)明:TO-247PLUS-4-HCC封裝的CoolSiC? 2000 V SiC溝槽MOSFET
封裝:TO-247-4產(chǎn)品說(shuō)明:SMD緊湊型封裝SiC MOSFET
封裝:TO-263-7產(chǎn)品說(shuō)明:采用TO-263-7封裝的1200 V CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET
封裝:TO-263-7產(chǎn)品說(shuō)明:650V CoolSiC? MOSFET – 碳化硅(SiC)MOSFET 采用 TO247 3 引腳封裝
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說(shuō)明:650V CoolSiC? MOSFET – 碳化硅(SiC)MOSFET 采用 TO247 4 引腳封裝
封裝:TO-247-4產(chǎn)品說(shuō)明:采用TO247-4封裝的CoolSiC? 1200 V 溝槽式碳化硅MOSFET
封裝:TO-247-4產(chǎn)品說(shuō)明:采用TO-263-7封裝的1200 V CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET
封裝:TO-263-7產(chǎn)品說(shuō)明:采用TO247-3封裝的1200 V CoolSiC?溝槽式碳化硅MOSFET
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說(shuō)明:采用TO247-4封裝的CoolSiC? 1200 V 溝槽式碳化硅MOSFET
封裝:TO-247-4產(chǎn)品說(shuō)明:采用TO247-3封裝的1200 V CoolSiC?溝槽式碳化硅MOSFET
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說(shuō)明:采用TO247-4封裝的1200 V CoolSiC?溝槽式碳化硅MOSFET
封裝:TO-247-4產(chǎn)品說(shuō)明:采用TO247-3封裝的1200 V CoolSiC?溝槽式碳化硅MOSFET
封裝:TO-247-3電話咨詢:86-755-83294757
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