商品名稱:GNP1070TC-ZE2
數(shù)據(jù)手冊:GNP1070TC-ZE2.pdf
品牌:ROHM
年份:23+
封裝:DFN8080K
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
GNP1070TC-ZE2采用低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)來提高電源轉(zhuǎn)換效率和減小尺寸。該款高度可靠的GNP1 FET具有內(nèi)置ESD保護和出色的散熱性能,方便安裝。應(yīng)用包括高開關(guān)頻率和高密度轉(zhuǎn)換器。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):GaNFET(氮化鎵)
漏源電壓(Vdss):650 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):20A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,5.5V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):98 毫歐 @ 1.9A,5.5V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 18mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):5.2 nC @ 6 V
Vgs(最大值):+6V,-10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):200 pF @ 400 V
功率耗散(最大值):56W(Tc)
工作溫度:150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:DFN8080K
封裝/外殼:8-PowerDFN
應(yīng)用
● 高切換頻率轉(zhuǎn)換器
● 高密度轉(zhuǎn)換器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。
答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。
答:目前我們自營代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對具體品牌型號來溝通確認。
答:可以通過網(wǎng)站上詢價,也可以通過電話以及郵箱咨詢。
答:大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期,您可根據(jù)貨期估計商品的發(fā)貨時間,具體到貨時間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。
答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
羅姆(ROHM)株式會社是全球知名的半導(dǎo)體廠商之一,總部所在地設(shè)在日本京都市,ROHM設(shè)計和制造半導(dǎo)體、集成電路以及其它電子元器件。這些元件在快速變化、不斷增長的無線、計算機、汽車和消費電子市場均占有一席之地。 一些最具創(chuàng)新意義的設(shè)備和裝置都采用了 ROHM 產(chǎn)品。
BM3G007MUV-LBE2
BM3G007MUV-LBE2是一款Nano Cap? 650V GaN HEMT功率級IC,非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統(tǒng)。該器件集成了650V增強型GaN HEMT和硅驅(qū)動器。特性:Nano CAP?集成輸出可選5V LDO為工業(yè)應(yīng)用提供長期支持產(chǎn)品寬工作范圍,適用于VDD 引腳電壓IN引腳電壓的寬工…SCT3160KWATL
SCT3160KWATL是一款1200V, 17A SiC(碳化硅)溝槽MOSFET,采用小型TO-263-7封裝。其特點包括耐高壓、低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度。SCT3160KWATL的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術(shù):SiC漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):17A(Tj)驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小…SCT3160KWAHRTL
SCT3160KWAHRTL是一款1200V, 17A汽車用SiC(碳化硅)溝槽MOSFET。其特點包括耐高壓、低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度。該器件采用小型TO-263-7封裝,設(shè)計符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)。SCT3160KWAHRTL的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時電流…SCT3060ARC15
SCT3060ARC15是一款650V N通道 4引腳封裝 SiC(碳化硅)MOSFET,非常適用于要求高效率的服務(wù)器用電源、太陽能逆變器及電動汽車充電站等應(yīng)用。與以往的3引腳封裝(TO-247N)相比,導(dǎo)通損耗和關(guān)斷損耗合起來預(yù)計可降低約35%的損耗。SCT3060ARC15的規(guī)格:FET 類型:N 通道技…SCT3080ARC15
SCT3080ARC15是一款非常適用于要求高效率的服務(wù)器用電源、太陽能逆變器及電動汽車充電站等的溝槽柵結(jié)構(gòu)650V SiC MOSFET。該器件采用電源源極引腳和驅(qū)動器源極引腳分離的4引腳封裝,能夠充分地發(fā)揮出高速開關(guān)性能。SCT3080ARC15的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅…SCT3080ALHRC11
SCT3080ALHRC11是一款采用溝槽柵極結(jié)構(gòu)的650V SiC MOSFET。與平面型SiC-MOSFET相比,同一芯片尺寸的導(dǎo)通電阻可降低50%,這將大幅降低太陽能發(fā)電用功率調(diào)節(jié)器和工業(yè)設(shè)備用電源、工業(yè)用逆變器等所有相關(guān)設(shè)備的功率損耗。SCT3080ALHRC11的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術(shù):SiCFE…電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
服務(wù)時間:9:00-18:00
聯(lián)系郵箱:chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址:廣東省深圳市福田區(qū)振中路新亞洲國利大廈1239-1241室
CopyRight?2022 版權(quán)歸明佳達電子公司所有 粵ICP備05062024號-12
官方二維碼
友情鏈接: