商品名稱:MICROFJ-60035-TSV-TR
數(shù)據(jù)手冊(cè):MICROFJ-60035-TSV-TR.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:36-WBGA
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
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MICROFJ-60035-TSV-TR 是采用 TSV 封裝的硅光電倍增管 (SiPM)、高 PDE 和定時(shí)分辨率傳感器。J 系列低照度傳感器采用高容量、P-on-N 硅代工工藝,具有高 PDE(光子檢測(cè)效率)的特點(diǎn)。
產(chǎn)品屬性
波長(zhǎng):420nm
頻譜范圍:200nm ~ 900nm
二極管類型:雪崩
響應(yīng)時(shí)間:250ps
電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):24.7 V
電流 - 暗(典型值):7.5μA
有效面積:36.85mm2
工作溫度:-40°C ~ 85°C
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:36-WBGA
產(chǎn)品特性
高密度微電池
快速輸出端子
溫度穩(wěn)定性為 21.5mV/°C
±250mV 擊穿電壓一致性
采用與回流焊兼容的 TSV 芯片級(jí)封裝
典型值為 50kHz/mm2 的超低暗計(jì)數(shù)率
針對(duì) ToF-PET 等高性能定時(shí)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化
傳感器尺寸為 3 毫米、4 毫米和 6 毫米
<30V 偏置電壓
在 420nm 波長(zhǎng)處具有 50% 的光子檢測(cè)效率 (PDE)
改進(jìn)的信號(hào)上升時(shí)間和微電池恢復(fù)時(shí)間
無需主動(dòng)電壓控制
高均勻性
TSV 封裝幾乎無死角,可創(chuàng)建高填充因子陣列,且不含鐵金屬
應(yīng)用
醫(yī)療成像
危險(xiǎn)和威脅
3D 測(cè)距和傳感
生物光子學(xué)和科學(xué)
高能物理
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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概述:NFAP1060R4TT 是一款完全集成的逆變器功率級(jí)IPM,由一個(gè)高壓驅(qū)動(dòng)器、六個(gè)IGBT和一個(gè)熱敏電阻組成,適用于驅(qū)動(dòng)永磁同步(PMSM)電機(jī)、無刷DC (BLDC)電機(jī)和交流異步電機(jī)。產(chǎn)品:NFAP1060R4TT類型:IPM 模塊配置:三相反相器電流:10 A電壓:600 V電壓 - 隔離:2000Vrms…電話咨詢:86-755-83294757
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