商品名稱:CYAT81658-64AS48
數(shù)據(jù)手冊:CYAT81658-64AS48.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:64-TQFP
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
CYAT81658-64AS48 是一款電容式觸摸屏控制器,采用傳感和處理技術(shù),可識(shí)別和報(bào)告觸摸屏上多達(dá)十個(gè)手指的位置。
CYAT81658-64AS48 器件包含一個(gè)高性能的 Arm? 32 位 CPU,并集成了硬件乘法單元。
功能特點(diǎn)
32 位 Arm@ Cortex CPU
可配置寄存器
顯示和 EMI 噪聲抑制技術(shù)
有效的 20 V 驅(qū)動(dòng),可實(shí)現(xiàn)更高的信噪比
外部顯示同步
使用 DualSense 進(jìn)行防水和濕手指跟蹤
具有自動(dòng)模式切換功能的多點(diǎn)觸控手套
低功耗尋找觸摸模式
通過引導(dǎo)加載程序進(jìn)行現(xiàn)場升級(jí)
觸摸屏傳感器自檢
低功耗 CAPSENSETM 喚醒按鈕,功耗為 50 μA
低功耗喚醒觸摸屏,功耗為 120 μA
屏幕尺寸達(dá)對(duì)角線 8.5 英寸
6.2 毫米電極間距;16:9 寬高比
最多 48 個(gè)感應(yīng)引腳,560 個(gè)交叉點(diǎn);16:9 寬高比
刷新率高達(dá) 250 Hz;可配置其他速率
發(fā)送頻率高達(dá) 350 千赫
1.71 V 至 1.95 V 和 3.0 V 至 5.5 V 邏輯和數(shù)字輸入/輸出供電
3.0 V 至 5.5 V 模擬電源
9 毫瓦平均功率
11μW 典型深度休眠功耗
鏡頭傳感器 (SOL)
塑料(PET)和玻璃傳感器基板
LCD、AMOLED 和 IPS 顯示屏
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IAUCN04S7N040D
IAUCN04S7N040D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào):IAUCN04S7N040D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N040D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測試穩(wěn)健…IAUCN04S7N024D
IAUCN04S7N024D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào):IAUCN04S7N024D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N024D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測試穩(wěn)健…IAUCN04S7N019D
IAUCN04S7N019D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào):IAUCN04S7N019D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測試穩(wěn)健…IPTC025N15NM6
IPTC025N15NM6:150V OptiMOS? 6 N-通道功率 MOSFET 晶體管,PG-HDSOP-16型號(hào):IPTC025N15NM6封裝:PG-HDSOP-16類型:N-通道功率 MOSFET 晶體管概述:IPTC025N15NM6 - 正常水平的 OptiMOS? 6 150 V 在競爭激烈的 150 V 市場中創(chuàng)造了新的性能水平。OptiMOS? 6 150 V 技IPT025N15NM6
IPT025N15NM6:150V OptiMOS? 6 功率 MOSFET 晶體管型號(hào):IPT025N15NM6封裝:PG-HSOF-8類型:功率 MOSFET 晶體管IPT025N15NM6 - 產(chǎn)品規(guī)格:系列:OptiMOS? 6FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):150 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):26A(Ta),…電話咨詢:86-755-83294757
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