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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

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商品型號(hào):NVMTS4D3N15MC

商品名稱:NVMTS4D3N15MC

數(shù)據(jù)手冊(cè):NVMTS4D3N15MC.PDF

品牌:ADI

年份:23+

封裝:8-DFNW

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:1000

數(shù)量:
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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
ADI
型號(hào)
NVMTS4D3N15MC
封裝
8-DFNW
描述
表面貼裝型 N 通道 150 V 21A(Ta),165A(Tc) 5W(Ta),292W(Tc) 8-DFNW(8.3x8.4)

產(chǎn)品描述

NVMTS4D3N15MC 安森美半導(dǎo)體單N溝道功率MOSFET是一款小尺寸、設(shè)計(jì)緊湊的MOSFET,具有低RDS(on) 和低電容。低RDS(on) 值可最大限度降低導(dǎo)通損耗,低電容可最大限度降低驅(qū)動(dòng)器損耗。這些單N溝道功率MOSFET不含鉛,符合RoHS指令,工作溫度范圍為- 55°C至175°。


產(chǎn)品屬性

FET 類型:N 通道

技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):150 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):21A(Ta),165A(Tc)

驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):4.45 毫歐 @ 95A,10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):4.5V @ 521μA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):79 nC @ 10 V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):6514 pF @ 75 V

功率耗散(最大值):5W(Ta),292W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝:8-DFNW(8.3x8.4)

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8-DFN

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2000

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NVTFS5C670NLTAG

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NVTFS5C471NLWFTAG

ON

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8-WDFN

2000

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常見問題

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亞德諾半導(dǎo)體全稱為亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司(Analog Devices, Inc.)簡稱(ADI)。是一家專營半導(dǎo)體傳感器和信號(hào)處理ic的卓越的供應(yīng)商,adi將創(chuàng)新、業(yè)績和卓越作為企業(yè)的文化支柱,并基此成長為該技術(shù)領(lǐng)域最持久高速增長的企業(yè)之一。亞德諾半導(dǎo)體是業(yè)界廣泛認(rèn)可的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)…

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