商品名稱：IPT60T065S7
數(shù)據(jù)手冊：
IPT60T065S7.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封裝：PG-HSOF-8
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：2000 件
IPT60T065S7 實現(xiàn)了低頻開關應用的最佳性價比。帶有嵌入式溫度傳感器的 CoolMOS? S7T 提高了結溫感應的準確性和穩(wěn)健性，同時實現(xiàn)了簡單的實施。該器件針對低頻和大電流開關應用進行了優(yōu)化。它是固態(tài)繼電器、斷路器設計和 SMPS 中線路整流的理想選擇。溫度傳感器增強了 CoolMOS? S7 的功能，使功率晶體管得到最佳利用。
功能概述
高脈沖電流能力
優(yōu)化的價格性能
低頻開關應用
降低寄生源電感
無縫診斷
高電流能力
高功率耗散
增強保護
優(yōu)化熱器件利用率
優(yōu)勢
傳導損耗最小
提高系統(tǒng)性能
與 EMR 相比，設計更緊湊
降低長期總體擁有成本
實現(xiàn)更高的功率密度設計
減少外部傳感元件
充分利用功率晶體管
精度比分立傳感器高 40
比分立傳感器解決方案快 10 倍
潛在應用
固態(tài)繼電器 (SSR)
固態(tài)斷路器 (SSCB)
電子保險絲
電機軟啟動器
配電裝置（交流/直流）
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
N 通道 100 V 26A（Ta），276A（Tc） 3W（Ta），333W（Tc） PG-WHTFN-9-U02
INFINEON
PG-WHSON-8
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 80 V，采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封裝，具有極低的 RDS(on)。
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 80 V，采用 PQFN 5x6 下源中心柵 DSC 封裝，具有極低的 RDS(on)
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 60 V，采用 PQFN 5x6 下源中心柵 DSC 封裝，具有業(yè)界領先的 RDS(on)
INFINEON
PG-WHSON-8
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 60 V，采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封裝，具有業(yè)界領先的 RDS(on)
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XENSIV? PASCO2V15是一款真正的 CO2 傳感器，它將近紅外技術與英飛凌的高信噪比 MEMS 麥克風相結合，以極小的外形實現(xiàn)了最先進的精度。
CY8C4025LQS-S413
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IAUCN04S7N040D
IAUCN04S7N040D：40V，汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號：IAUCN04S7N040D封裝：PG-TDSON-8類型：汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N040D - 產品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…
IAUCN04S7N024D
IAUCN04S7N024D：40V，汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號：IAUCN04S7N024D封裝：PG-TDSON-8類型：汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N024D - 產品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…
IAUCN04S7N019D
IAUCN04S7N019D：40V，汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號：IAUCN04S7N019D封裝：PG-TDSON-8類型：汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…電話咨詢：86-755-83294757
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