商品名稱:IPN80R1K4P7
數據手冊:IPN80R1K4P7.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TO-261-4
貨期:全新原裝
庫存數量:2000 件
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IPN80R1K4P7 樹立了 800V 超級結技術的新標桿,將同類最佳的性能與最先進的易用性相結合,是超級結技術創(chuàng)新的結晶。
特點
同類最佳的 FOM Rps(on) * Eoss;降低了 Qg、Ciss 和 Coss
同類最佳 SOT-223 Ros(on)
同類最佳 3V V(Gs)h,最小 +0.5V V(s)th 變化
集成齊納二極管 ESD 保護
同類最佳的 CoolMOS TM 質量和可靠性
全面優(yōu)化的產品組合
優(yōu)勢
同類最佳的性能
實現更高的功率密度設計、節(jié)省 BOM 和降低裝配成本
易于驅動和并行
減少 ESD 相關故障,提高生產良率
減少生產問題和現場退貨
易于選擇合適的部件對設計進行微調
潛在應用
推薦用于 LED 照明、低功耗充電器和適配器、智能電表、AUX 電源和工業(yè)電源的反激式拓撲結構。
型號
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描述
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IAUCN04S7N040D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號:IAUCN04S7N040D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N040D - 產品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…IAUCN04S7N024D
IAUCN04S7N024D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號:IAUCN04S7N024D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N024D - 產品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…IAUCN04S7N019D
IAUCN04S7N019D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號:IAUCN04S7N019D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…電話咨詢:86-755-83294757
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