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GS61008P-MR是一款增強型硅基氮化鎵功率晶體管。GaN 的特性可實現高電流、高電壓擊穿和高開關頻率。GaN Systems 利用獲得專利的 Island Technology? 和 GaNPX? 封裝等業(yè)界領先的先進技術進行創(chuàng)新。Island Technology? 單元布局實現了大電流芯片和高產量。GaNPX? 封裝在小型封裝中實現了低電感和低熱阻。GS61008P-MR是底部冷卻型晶體管，具有極低的結殼熱阻，適用于要求苛刻的高功率應用。這些特性結合在一起，可提供極高效率的功率開關。

特性

100 V 增強型功率晶體管

底部冷卻配置

RDS(on) = 7 mΩ

IDS(max) = 90 A

超低 FOM Island Technology? 芯片

低電感 GaNPX? 封裝

簡單的柵極驅動要求（0 V 至 6 V）

瞬態(tài)容差柵極驅動（-20 V / +10 V）

開關頻率極高（> 10 MHz）

快速可控的下降和上升時間

反向電流能力

零反向恢復損耗

小巧的 7.6 x 4.6 mm2 PCB 基底面

源極檢測 (SS) 引腳可優(yōu)化柵極驅動

符合 RoHS 3 (6+4) 標準

應用

儲能系統(tǒng)

AC-DC 轉換器（二次側）

不間斷電源

工業(yè)電機驅動器

快速電池充電

D 類音頻放大器

牽引驅動

機器人

無線電力傳輸

• 1.平臺上看到的庫存、價格準確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯系我公司并給出對應的 解決方案。

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