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IMZA120R040M1H 采用TO247-4封裝的1200V 40mΩ  CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先進的溝槽工藝，該工藝經(jīng)過優(yōu)化兼具性能與可靠性。與IGBT和MOSFET等傳統(tǒng)的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有諸多優(yōu)勢，例如1200 V開關(guān)器件中最低的柵極電荷和器件電容、體二極管沒有反向恢復(fù)損耗、關(guān)斷損耗受溫度影響小以及沒有拐點電壓的導(dǎo)通特性。因此，CoolSiC?碳化硅 MOSFET非常適用于硬開關(guān)和諧振開關(guān)拓撲結(jié)構(gòu)，如功率因素校正（PFC）電路、雙向拓撲以及DC-DC轉(zhuǎn)換器或DC-AC逆變器。

英飛凌推出的、采用TO247-4封裝的SiC MOSFET 可降低柵極電路上的源極寄生電感效應(yīng)，從而實現(xiàn)更快的開關(guān)速度和更高的效率。

產(chǎn)品屬性 

制造商 Infineon Technologies  

系列 CoolSiC?  

包裝 管件  

FET 類型 N 通道  

技術(shù) SiCFET（碳化硅）  

漏源電壓（Vdss） 1200 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 55A（Tc）  

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 15V，18V  

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值） 54.4 毫歐 @ 19.3A，18V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 5.2V @ 8.3mA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） 39 nC @ 18 V  

Vgs（最大值） +20V，-5V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 1620 nF @ 25 V  

FET 功能 -  

功率耗散（最大值） 227W（Tc）  

工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）  

安裝類型 通孔  

供應(yīng)商器件封裝 PG-TO247-4-8  

封裝/外殼 TO-247-4 

應(yīng)用領(lǐng)域

電池化成

電動汽車快速充電

電機控制和驅(qū)動

電源

太陽能系統(tǒng)解決方案

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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