商品名稱:2ED21064S06J
數(shù)據(jù)手冊:2ED21064S06J.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:DSO-14
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:12900 件
2ED21064S06J是一款650 V高邊和低邊高速功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器,具有典型的0.29A拉電流、0.7A灌電流,采用DSO-14 封裝。
特征描述
工作電壓(VS節(jié)點)最大+ 650 V
100 V的負VS瞬態(tài)抗擾性
集成超快速、低電阻自舉二極管,降低BOM成本
浮動溝道專為自舉操作而設計
高壓和低壓引腳分開,以實現(xiàn)最大爬電距離和電氣間隙
分離邏輯和電源接地,縮短柵極回路
針對兩個溝道的獨立欠壓鎖定(UVLO)
200納秒傳播延遲
HIN、LIN邏輯輸入
25 V最大供電電壓
VS引腳上邏輯操作電壓達–11 V
輸入端負電壓容差為–5 V
浮動溝道可用于驅(qū)動N溝道MOSFET、SiC MOSFET或高邊IGBT
優(yōu)勢
集成自舉二極管(BSD)—節(jié)省空間、降低BOM成本、PCB更小,以更低成本實現(xiàn)更簡單的設計
電平轉(zhuǎn)換損耗降低50%
出色的耐用性和抗噪性,可耐受VS引腳上的負瞬態(tài)電壓(-100 V)
應用領(lǐng)域
LED 照明
電池化成
電動汽車快速充電
電機控制和驅(qū)動
消費電子
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IAUCN04S7N040D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號:IAUCN04S7N040D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N040D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…IAUCN04S7N024D
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IAUCN04S7N019D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號:IAUCN04S7N019D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…電話咨詢:86-755-83294757
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