商品名稱:NVMJS3D0N06CTWG
品牌:ON
年份:23+
封裝:8-LFPAK
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
NVMJS3D0N06CTWG 是一款采用5mm X 6mm LFPAK封裝的高性能汽車功率MOSFET。該器件通過AEC-Q101認證,支持PPAP,非常適合需要增強板級可靠性的汽車應(yīng)用中的緊湊高效設(shè)計。
規(guī)格
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):60 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):26.9A (Ta), 139.3A (Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):2.9mOhm @ 27A, 10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4V @ 135μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):34 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):2675 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):4.2W (Ta), 112.5W (Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等級:汽車級
資質(zhì):AEC-Q101
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:8-LFPAK
封裝/外殼:SOT-1205,8-LFPAK56
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET? F7 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT? 5x6 封裝
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安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨…
AR0830CSSH11SMKA1-CP
AR0830CSSH11SMKA1-CP 屬于 Hyperlux LP 產(chǎn)品系列,是一款 1/2.9 英寸背面照度(BSI)堆疊式 CMOS 數(shù)字圖像傳感器,具有 3840 x 2160 有源像素陣列。這款先進的傳感器可在線性或增強動態(tài)范圍(eDR)模式下捕捉圖像,并采用卷簾快門讀取方式。AR0830 的結(jié)構(gòu)設(shè)計旨在以極低…AR0830CSSH11SMD20-RC
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AR0830CSSH35SMKA1-CP 屬于 Hyperlux LP 產(chǎn)品系列,是一款 1/2.9 英寸背面照度(BSI)堆疊式 CMOS 數(shù)字圖像傳感器,具有 3840 x 2160 有源像素陣列。這款先進的傳感器可在線性或增強動態(tài)范圍(eDR)模式下捕捉圖像,并采用卷簾快門讀取方式。AR0830 的結(jié)構(gòu)設(shè)計旨在以極低…AR2020CSSM13SMD20-RC
AR2020CSSM13SMD20-RC 屬于 Hyperlux LP 產(chǎn)品,它是一款 1/1.8 英寸背照式 (BSI) 疊加 CMOS 數(shù)字圖像傳感器,具有 5120 x 3840 有源像素陣列。這種先進的傳感器可在線性或增強動態(tài)范圍(eDR)模式下捕捉圖像,并采用滾動快門讀出方式。AR2020CSSM13SMD20-RC 的特點在業(yè)內(nèi)…AR2020CSSC13SMD20-RC
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AR0246NPSC32SMKA1-CP 是一款堆疊式 1/4 英寸背照式 (BSI) CMOS 有源像素數(shù)字圖像傳感器,像素陣列為 1920 (H) x 1080 (V)。該傳感器具有增強的近紅外響應(yīng)能力。它可在線性或高動態(tài)范圍模式下捕捉圖像,并具有滾動快門讀取功能,還包括復雜的相機功能,如分檔、窗口以及視…電話咨詢:86-755-83294757
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