商品名稱:MSCSM120HRM08NG
品牌:Microchip
年份:24+
封裝:Module
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
MSCSM120HRM08NG 器件是一款 T 型碳化硅 (SiC) MOSFET 功率模塊,其相腳電壓為 1200V,電流為 317A,雙共源電壓為 700V,電流為 227A、317A 和雙共源 700V、227A。采用碳化硅功率 MOSFET,低 RDS(導(dǎo)通),高溫性能,開爾文源,易于驅(qū)動(dòng)。
產(chǎn)品屬性
技術(shù):碳化硅(SiC)
配置:4 個(gè) N 通道(三級(jí)反相器)
FET 功能:碳化硅(SiC)
漏源電壓(Vdss):1200V(1.2kV),700V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):317A(Tc),227A(Tc)
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):7.8 毫歐 @ 160A,20V,9.5 毫歐 @ 80A,20V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):2.8V @ 12mA,2.4V @ 8mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):928nC @ 20V,430nC @ 20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):12100pF @ 1000V,9000pF @ 700V
功率 - 最大值:1.253kW(Tc),613W(Tc)
工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:模塊
應(yīng)用
●太陽(yáng)能逆變器
●三電平逆變器
●不間斷電源
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 337A(Tc),317A(Tc) 1.492kW(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 472A(Tc),442A(Tc) 1.846kW(Tc),1.161kW(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 124A(Tc),89A(Tc) 602W(Tc),395W(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 89A(Tc),124A(Tc) 395W(Tc),365W(Tc) 底座安裝
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Microchip Technology Incorporated(納斯達(dá)克股市代號(hào):MCHP)美國(guó)微芯半導(dǎo)體是全球領(lǐng)先的單片機(jī)和模擬半導(dǎo)體供應(yīng)商,為全球數(shù)以千計(jì)的消費(fèi)類產(chǎn)品提供低風(fēng)險(xiǎn)的產(chǎn)品開發(fā)、更低的系統(tǒng)總成本和更快的產(chǎn)品上市時(shí)間。Microchip公司自成立以來(lái),就密切關(guān)注嵌入控制半導(dǎo)體產(chǎn)品市…
VSC7425XJG-02
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