商品名稱:IKB20N60TATMA1
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:TO263
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
描述:IKB20N60T 硬開關600V TRENCHSTOP? IGBT 3與全額定續(xù)流二極管一起采用TO263 D2Pak封裝,通過應用溝道頂部單元(trench top-cell)和場截止(field stop)技術,器件的靜態(tài)和動態(tài)性能得到顯著改善。
器件:IKB20N60TATMA1
IGBT 類型:溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):40 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm):60 A
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值):2.05V @ 15V,20A
功率 - 最大值:166 W
開關能量:770μJ
輸入類型:標準
柵極電荷:120 nC
25°C 時 Td(開/關)值:18ns/199ns
測試條件:400V,20A,12 歐姆,15V
反向恢復時間 (trr):41 ns
工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:TO-263-3,D2PAK(2 引線 + 凸片),TO-263AB
供應商器件封裝:PG-TO263-3-2
基本產(chǎn)品編號:IKB20N60
型號
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封裝
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描述
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
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IAUCN04S7N040D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號:IAUCN04S7N040D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N040D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…IAUCN04S7N024D
IAUCN04S7N024D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號:IAUCN04S7N024D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N024D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…IAUCN04S7N019D
IAUCN04S7N019D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號:IAUCN04S7N019D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…IPTC025N15NM6
IPTC025N15NM6:150V OptiMOS? 6 N-通道功率 MOSFET 晶體管,PG-HDSOP-16型號:IPTC025N15NM6封裝:PG-HDSOP-16類型:N-通道功率 MOSFET 晶體管概述:IPTC025N15NM6 - 正常水平的 OptiMOS? 6 150 V 在競爭激烈的 150 V 市場中創(chuàng)造了新的性能水平。OptiMOS? 6 150 V 技電話咨詢:86-755-83294757
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