BGS13S4N9 - 寬帶射頻 SP3T 開關(guān)
零件編號:BGS13S4N9
封裝:9-XFLGA
類型:射頻開關(guān) IC
詳細說明:射頻開關(guān) IC 通用 SP3T 50Ohm PG-TSNP-9-3
產(chǎn)品概述
BGS13S4N9 - RF MOS 開關(guān)專為手機和移動應(yīng)用而設(shè)計。3 個端口中的任何一個都可用作分集天線的終端,處理能力高達 30 dBm。它具有出色的 1kV ESD 穩(wěn)定性。該 SP3T 具有插入損耗低、對天線端口干擾信號的抗干擾能力強以及在終端模式下諧波生成低等特點。片上控制器集成了 CMOS 邏輯和電平轉(zhuǎn)換器,由 1.35 V 至 VDD 的控制輸入驅(qū)動。
BGS13S4N9 射頻開關(guān)采用英飛凌的專利 MOS 技術(shù)制造,具有砷化鎵的性能和傳統(tǒng) CMOS 的經(jīng)濟性和集成性,包括固有的更高 ESD 魯棒性。該器件尺寸非常小,僅為 1.1 x 1.1 mm2,最大高度為 0.375 mm。
功能概述
3 個高線性度 TRx 路徑,功率處理能力高達 30 dBm
外形小巧 1.1 x 1.1 mm2 x 0.375 mm
2.7GHz 時插入損耗低 0.55 dB
低諧波產(chǎn)生
端口間隔離度高
0.1 至 3.0 千兆赫覆蓋范圍
片上控制邏輯包括 ESD 保護
GPIO 控制接口
無需電源阻斷
高 EMI 強度
符合 RoHS 和 WEEE 規(guī)范的封裝
潛在應(yīng)用
射頻 CMOS 開關(guān)專為 Edge / CDMA2000 / LTE / WCDMA 應(yīng)用而設(shè)計
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Mini-Circuits
MCLP-14
3000
RF 開關(guān) IC Reflective SP3T, SMT Solid State Switch, 5 - 2700 MHz, 50歐姆
Mini-Circuits
QFN-16
3000
RF 開關(guān) IC Absorptive SPDT, SMT Solid State Switch, DC - 30 GHz, 50歐姆
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團的半導(dǎo)體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
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SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價格/性能、實時響應(yīng)性、計算能…IAUCN04S7N040D
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IPTC025N15NM6:150V OptiMOS? 6 N-通道功率 MOSFET 晶體管,PG-HDSOP-16型號:IPTC025N15NM6封裝:PG-HDSOP-16類型:N-通道功率 MOSFET 晶體管概述:IPTC025N15NM6 - 正常水平的 OptiMOS? 6 150 V 在競爭激烈的 150 V 市場中創(chuàng)造了新的性能水平。OptiMOS? 6 150 V 技IPT025N15NM6
IPT025N15NM6:150V OptiMOS? 6 功率 MOSFET 晶體管型號:IPT025N15NM6封裝:PG-HSOF-8類型:功率 MOSFET 晶體管IPT025N15NM6 - 產(chǎn)品規(guī)格:系列:OptiMOS? 6FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):150 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):26A(Ta),…電話咨詢:86-755-83294757
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