BGA8V1BN6E6327XTSA1 - 用于 LTE 頻帶 42 和頻帶 43 的低噪聲放大器
型號:BGA8V1BN6E6327XTSA1
封裝:PG-TSNP-6-2
類型:低噪聲放大器
詳細說明: 射頻放大器 IC 3.4GHz ~ 3.8GHz PG-TSNP-6-2
產品概述
BGA8V1BN6E6327XTSA1 是一款用于 LTE 的前端低噪聲放大器,覆蓋 3.3 GHz 至 3.8 GHz 的寬頻率范圍。LNA 的增益為 15.0 dB,噪聲系數為 1.2 dB,電流消耗為 4.2mA。在旁路模式下,LNA 的插入損耗為 5.3 dB。BGA8V1BN6 采用英飛凌科技公司的 B9HF 硅鍺技術。其工作電源電壓為 1.6 V 至 3.1 V。該器件具有多態(tài)控制功能(關斷、旁路和高增益模式)。
功能概述
- 工作頻率 3.3 - 3.8 千兆赫
- 插入功率增益:15.0 dB
- 旁路模式下的插入損耗:5.3 dB 5.3 分貝
- 低噪聲 1.2 分貝
- 低電流消耗 4.2 mA
- 多狀態(tài)控制: 關斷、旁路和高增益模式
- 超小型 TSNP-6-2 無引線封裝
- 射頻輸入和射頻輸出內部匹配為 50 歐姆
- 無需外部元件
潛在應用
LTE 頻段 42 和頻段 43
型號
品牌
封裝
數量
描述
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