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商品名稱(chēng):射頻放大器
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:TSNP-6
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
BGA5M1BN6E6328XTSA1 - 用于 LTE 中頻的 18dB 高增益低噪聲放大器
型號(hào):BGA5M1BN6E6328XTSA1
封裝:TSNP-6
類(lèi)型:低噪聲放大器
詳細(xì)描述:射頻放大器IC,用于 LTE 中頻段的 18dB 高增益低噪聲放大器
產(chǎn)品概述
BGA5M1BN6E6328XTSA1 是一款用于 LTE 的前端低噪聲放大器,覆蓋 1805 MHz 至 2200 MHz 的寬頻率范圍。LNA 的增益為 19.3 dB,噪聲系數(shù)為 0.65 dB,電流消耗為 9.5mA。在旁路模式下,LNA 的插入損耗為 4.7 dB。
BGA5M1BN6 采用英飛凌科技的 B9HF 硅鍺技術(shù)。它的工作電源電壓為 1.5 V 至 3.6 V。該器件采用單線雙態(tài)控制(旁路和高增益模式)??赏ㄟ^(guò)關(guān)閉 VCC 電源來(lái)啟用關(guān)態(tài)。
產(chǎn)品特性
插入功率增益:19.3 dB
旁路模式下的插入損耗 4.7 分貝
噪聲系數(shù)低 0.65 分貝
低電流消耗:9.5 毫安
工作頻率 1805 - 2200 MHz
多狀態(tài)控制:旁路和高增益模式
電源電壓:1.5 V 至 3.6 V
超小型 TSNP-6-2 和 TSNP-6-10 無(wú)引線封裝(基底面:0.7 x 1.1 mm2)
B9HF 硅鍺技術(shù)
內(nèi)部匹配為 50 歐姆的射頻輸出
外部元件數(shù)量少
2kV HBM ESD 保護(hù)(包括 AI 引腳)
無(wú)鉛(符合 RoHS 規(guī)范)封裝
應(yīng)用
汽車(chē)遠(yuǎn)程信息處理控制單元 (TCU)
移動(dòng)設(shè)備和智能手機(jī)
有線通信
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
答:我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來(lái)源均可追溯,確保原裝正品。
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答:可以為個(gè)人用戶(hù)開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶(hù)開(kāi)具增值稅專(zhuān)用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱(chēng)為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿(mǎn)足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IAUCN04S7N040D
IAUCN04S7N040D:40V,汽車(chē) MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào):IAUCN04S7N040D封裝:PG-TDSON-8類(lèi)型:汽車(chē) MOSFET 晶體管IAUCN04S7N040D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測(cè)試穩(wěn)健…IAUCN04S7N024D
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IAUCN04S7N019D:40V,汽車(chē) MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào):IAUCN04S7N019D封裝:PG-TDSON-8類(lèi)型:汽車(chē) MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測(cè)試穩(wěn)健…IPTC025N15NM6
IPTC025N15NM6:150V OptiMOS? 6 N-通道功率 MOSFET 晶體管,PG-HDSOP-16型號(hào):IPTC025N15NM6封裝:PG-HDSOP-16類(lèi)型:N-通道功率 MOSFET 晶體管概述:IPTC025N15NM6 - 正常水平的 OptiMOS? 6 150 V 在競(jìng)爭(zhēng)激烈的 150 V 市場(chǎng)中創(chuàng)造了新的性能水平。OptiMOS? 6 150 V 技IPT025N15NM6
IPT025N15NM6:150V OptiMOS? 6 功率 MOSFET 晶體管型號(hào):IPT025N15NM6封裝:PG-HSOF-8類(lèi)型:功率 MOSFET 晶體管IPT025N15NM6 - 產(chǎn)品規(guī)格:系列:OptiMOS? 6FET 類(lèi)型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):150 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):26A(Ta),…電話(huà)咨詢(xún):86-755-83294757
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