商品名稱:射頻開關
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:11-UFLGA
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
BGS14MA11E6327XTSA1 - 用于 LTE 分集、Tx 和 LAA 應用的 MIPI 2.0 SP4T 開關
型號:BGS14MA11E6327XTSA1
封裝:11-UFLGA
類型:SP4T 射頻開關
詳細說明:射頻開關 IC LTE,W-CDMA SP4T 50Ohm PG-ATSLP-11-1
產品概述
BGS14MA11E6327XTSA1 - SP4T 射頻開關是基于 LTE 和 WCDMA 的多模手機的完美解決方案。它基于英飛凌的專有技術,具有出色的射頻性能。超低插入損耗可幫助客戶實現(xiàn)較高的系統(tǒng)靈敏度,LTE Tx 功率和 6 GHz 的覆蓋范圍可實現(xiàn)非常廣泛的應用。它具有無直流射頻端口,只有在外部施加直流電壓時才需要在射頻端口外接直流阻斷電容器。
產品特性
- 0.1 至 6.0 GHz 覆蓋范圍,適用于 LTE 和 LAA 應用
- LTE 發(fā)射功率處理能力
- 超低插入損耗: 頻段 41 為 0.3dB,LTE U/ LAA 為 0.85dB
- 外形小巧,1.15 毫米 x 1.55 毫米
- 完全兼容 MIPI 2.0 RFFE 標準
- USID 選擇引腳允許每個 MIPI RFFE 總線連接兩個設備
- 無需去耦電容器(除非在射頻線路上施加直流電壓)
潛在應用
適用于 C2K / LTE / WCDMA 和 LAA 應用
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Mini-Circuits
MCLP-14
3000
RF 開關 IC Reflective SP3T, SMT Solid State Switch, 5 - 2700 MHz, 50歐姆
Mini-Circuits
QFN-16
3000
RF 開關 IC Absorptive SPDT, SMT Solid State Switch, DC - 30 GHz, 50歐姆
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要,在這些應用中,價格/性能、實時響應性、計算能…IAUCN04S7N040D
IAUCN04S7N040D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號:IAUCN04S7N040D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N040D - 產品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…IAUCN04S7N024D
IAUCN04S7N024D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號:IAUCN04S7N024D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N024D - 產品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…IAUCN04S7N019D
IAUCN04S7N019D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號:IAUCN04S7N019D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…IPTC025N15NM6
IPTC025N15NM6:150V OptiMOS? 6 N-通道功率 MOSFET 晶體管,PG-HDSOP-16型號:IPTC025N15NM6封裝:PG-HDSOP-16類型:N-通道功率 MOSFET 晶體管概述:IPTC025N15NM6 - 正常水平的 OptiMOS? 6 150 V 在競爭激烈的 150 V 市場中創(chuàng)造了新的性能水平。OptiMOS? 6 150 V 技IPT025N15NM6
IPT025N15NM6:150V OptiMOS? 6 功率 MOSFET 晶體管型號:IPT025N15NM6封裝:PG-HSOF-8類型:功率 MOSFET 晶體管IPT025N15NM6 - 產品規(guī)格:系列:OptiMOS? 6FET 類型:N 通道技術:MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):150 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):26A(Ta),…電話咨詢:86-755-83294757
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