商品名稱:射頻開關(guān)
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:18-WFLGA
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
BGSX44MU18E6327XUSA1 - 4P4T 天線交叉開關(guān),帶 MIPI RFFE 控制接口
型號(hào):BGSX44MU18E6327XUSA1
封裝:18-WFLGA
類型:4P4T 天線CMOS開關(guān)
描述:4P4T MIPI 0.4 - 7.125 GHz 天線交叉開關(guān)
產(chǎn)品概覽
BGSX44MU18E6327XUSA1 - RF CMOS 開關(guān)專為 LTE 和 5G FR1 四天線應(yīng)用而設(shè)計(jì)。這款 4P4T 交叉開關(guān)具有低插入損耗和低諧波產(chǎn)生的特點(diǎn)。開關(guān)通過 MIPI RFFE 控制接口進(jìn)行控制。片上控制器允許 1.65 至 1.95 V 的電源電壓。該開關(guān)具有直接連接電池功能和無直流射頻端口。
功能概述
峰值功率高達(dá) 37 dBm 的高線性度
快速開關(guān)時(shí)間(最長 2 μs),適用于 5G SRS 應(yīng)用
插入損耗低,端口間隔離度高,最高可達(dá) 7.125 GHz
低功耗,通過在僅 1.65 - 1.95 V 的電壓范圍內(nèi)組合 VDD 和 VIO 引腳,可使用 MIPI RFFE 電源
MIPI RFFE 2.1 控制接口
軟件和硬件可編程 USID
潛在應(yīng)用
蜂窩移動(dòng)設(shè)備的 4P4T 天線路由/交換
用于 5G SRS 的 4P4T 天線路由/交換
GSM、WCDMA、LTE 和 5G FR1 頻段應(yīng)用
4x4 MIMO 應(yīng)用
降低 SAR
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Mini-Circuits
MCLP-14
3000
RF 開關(guān) IC Reflective SP3T, SMT Solid State Switch, 5 - 2700 MHz, 50歐姆
Mini-Circuits
QFN-16
3000
RF 開關(guān) IC Absorptive SPDT, SMT Solid State Switch, DC - 30 GHz, 50歐姆
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IAUCN04S7N040D
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IAUCN04S7N019D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào):IAUCN04S7N019D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測試穩(wěn)健…IPTC025N15NM6
IPTC025N15NM6:150V OptiMOS? 6 N-通道功率 MOSFET 晶體管,PG-HDSOP-16型號(hào):IPTC025N15NM6封裝:PG-HDSOP-16類型:N-通道功率 MOSFET 晶體管概述:IPTC025N15NM6 - 正常水平的 OptiMOS? 6 150 V 在競爭激烈的 150 V 市場中創(chuàng)造了新的性能水平。OptiMOS? 6 150 V 技IPT025N15NM6
IPT025N15NM6:150V OptiMOS? 6 功率 MOSFET 晶體管型號(hào):IPT025N15NM6封裝:PG-HSOF-8類型:功率 MOSFET 晶體管IPT025N15NM6 - 產(chǎn)品規(guī)格:系列:OptiMOS? 6FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):150 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):26A(Ta),…電話咨詢:86-755-83294757
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