NVMYS021N06CLTWG適用于緊湊和高效設計的汽車用功率 MOSFET,采用 5x6mm LFPAK 封裝且具有較高的熱性能。通過 AEC-Q101 認證的 MOSFET,且符合生產件批準程序 (PPAP),適用于需要更高板級可靠性的汽車應用。
產品屬性
產品種類: MOSFET
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: LFPAK-4
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續(xù)漏極電流: 27 A
Rds On-漏源導通電阻: 21 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 5 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 28 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
系列: NVMYS021N06CL
配置: Single
下降時間: 1.5 ns
正向跨導 - 最小值: 37 S
上升時間: 12 ns
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 12 ns
典型接通延遲時間: 4 ns
應用
反向電池保護
開關電源
電源開關 - 高壓側驅動器、低壓側驅動器、H 橋
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET? F7 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT? 5x6 封裝
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概述:NFAP1060R4TT 是一款完全集成的逆變器功率級IPM,由一個高壓驅動器、六個IGBT和一個熱敏電阻組成,適用于驅動永磁同步(PMSM)電機、無刷DC (BLDC)電機和交流異步電機。產品:NFAP1060R4TT類型:IPM 模塊配置:三相反相器電流:10 A電壓:600 V電壓 - 隔離:2000Vrms…電話咨詢:86-755-83294757
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