商品名稱:N 溝道 MOSFET
品牌:ON
年份:24+
封裝:5-DFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
NVMFWS027N10MCLT1G 汽車功率 MOSFET 采用 5x6mm 扁平引線封裝,專為緊湊型高效設(shè)計(jì)而設(shè)計(jì),具有高散熱性能。
產(chǎn)品屬性
FET 類型: N 通道
技術(shù): MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss): 100 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id): 7.9A(Ta),28A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值): 26 毫歐 @ 7A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值): 3V @ 38μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值): 11.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值) :±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值): 800 pF @ 50 V
功率耗散(最大值): 3.5W(Ta),46W(Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C(TJ)
等級: 汽車級
資質(zhì): AEC-Q101
安裝類型: 表面貼裝,可潤濕側(cè)翼
供應(yīng)商器件封裝: 5-DFNW(4.9x5.9)(8-SOFL-WF)
封裝/外殼: 8-PowerTDFN,5 引線
應(yīng)用
開關(guān)電源
電源開關(guān)(高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器、低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器、H 橋等)
48V 系統(tǒng)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
汽車 N 溝道增強(qiáng)模式邏輯電平 40 V、最大 0.75 mΩ、373 A STripFET F8 功率 MOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET? F7 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT? 5x6 封裝
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介紹:NFAP2060R4TT是一款完全集成的逆變器功率級IPM模塊,由1個(gè)高壓驅(qū)動(dòng)器、6個(gè)IGBT和1個(gè)熱敏電阻器組成,適用于驅(qū)動(dòng)永磁同步 (PMSM) 電機(jī)、無刷直流 (BLDC) 電機(jī)和交流異步電機(jī)。產(chǎn)品:NFAP2060R4TT類型:IPM 模塊配置:三相反相器電流:20 A電壓:600 V電壓 - 隔離:2…NFAP1560R4TT
概述:NFAP1560R4TT 是一款完全集成的逆變器功率級IPM,該模塊包括1個(gè)高壓驅(qū)動(dòng)器、6個(gè)IGBT和1個(gè)熱敏電阻器,適用于驅(qū)動(dòng)永磁同步 (PMSM) 電機(jī)、無刷直流 (BLDC) 電機(jī)和交流異步電機(jī)。產(chǎn)品:NFAP1560R4TT類型:IPM 模塊配置:三相反相器電流:15 A電壓:600 V電壓 - 隔離:…NFAP1060R4TT
概述:NFAP1060R4TT 是一款完全集成的逆變器功率級IPM,由一個(gè)高壓驅(qū)動(dòng)器、六個(gè)IGBT和一個(gè)熱敏電阻組成,適用于驅(qū)動(dòng)永磁同步(PMSM)電機(jī)、無刷DC (BLDC)電機(jī)和交流異步電機(jī)。產(chǎn)品:NFAP1060R4TT類型:IPM 模塊配置:三相反相器電流:10 A電壓:600 V電壓 - 隔離:2000Vrms…電話咨詢:86-755-83294757
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