商品名稱:F3L11MR12W2M1B74BOMA1
數(shù)據(jù)手冊(cè):F3L11MR12W2M1B74BOMA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:MODULE
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
F3L11MR12W2M1B74BOMA1 EasyPACK? 2B 1200 V、11.3 mΩ 3級(jí)模塊,采用有源NPC(ANPC)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),配備CoolSiC? MOSFET、TRENCHSTOP? IGBT7、NTC溫度傳感器和PressFIT接觸技術(shù)。
產(chǎn)品屬性
系列: EasyPACK?
IGBT 類型: 溝槽型場(chǎng)截止
配置: 三級(jí)反相器
電壓 - 集射極擊穿(最大值): 1200 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值): 100 A
功率 - 最大值: 20 mW
不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)(最大值): 1.5V @ 15V,100A
電流 - 集電極截止(最大值): 9 μA
不同 Vce 時(shí)輸入電容 (Cies):21.7 nF @ 25 V
輸入:準(zhǔn)
NTC 熱敏電阻: 是
工作溫度: -40°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型: 底座安裝
封裝/外殼: 模塊
供應(yīng)商器件封裝: AG-EASY2B-2
優(yōu)勢(shì)
卓越的柵極氧化物可靠性
短而干凈的換向回路
支持整個(gè)cos φ范圍--完美地適用于儲(chǔ)能系統(tǒng)
易于設(shè)計(jì)
逆變器設(shè)計(jì)的自由度高
在太陽能應(yīng)用中,兩個(gè)模塊并聯(lián)時(shí)的功率為150千瓦
儲(chǔ)能系統(tǒng)中每個(gè)模塊的功率為75千瓦
應(yīng)用領(lǐng)域
儲(chǔ)能系統(tǒng)
太陽能系統(tǒng)解決方案
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IAUCN04S7N040D
IAUCN04S7N040D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào):IAUCN04S7N040D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N040D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測(cè)試穩(wěn)健…IAUCN04S7N024D
IAUCN04S7N024D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào):IAUCN04S7N024D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N024D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測(cè)試穩(wěn)健…IAUCN04S7N019D
IAUCN04S7N019D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào):IAUCN04S7N019D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測(cè)試穩(wěn)健…IPTC025N15NM6
IPTC025N15NM6:150V OptiMOS? 6 N-通道功率 MOSFET 晶體管,PG-HDSOP-16型號(hào):IPTC025N15NM6封裝:PG-HDSOP-16類型:N-通道功率 MOSFET 晶體管概述:IPTC025N15NM6 - 正常水平的 OptiMOS? 6 150 V 在競(jìng)爭(zhēng)激烈的 150 V 市場(chǎng)中創(chuàng)造了新的性能水平。OptiMOS? 6 150 V 技IPT025N15NM6
IPT025N15NM6:150V OptiMOS? 6 功率 MOSFET 晶體管型號(hào):IPT025N15NM6封裝:PG-HSOF-8類型:功率 MOSFET 晶體管IPT025N15NM6 - 產(chǎn)品規(guī)格:系列:OptiMOS? 6FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):150 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):26A(Ta),…電話咨詢:86-755-83294757
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