商品名稱:F415MR12W2M1B76BOMA1
數(shù)據(jù)手冊:F415MR12W2M1B76BOMA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:MODULE
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
F415MR12W2M1B76BOMA1 EasyPACK? 2B 1200 V, 15 mΩ四單元模塊,采用CoolSiC? MOSFET、NTC和PressFIT壓接技術(shù)。
該模塊具有改進和優(yōu)化的引腳方式,能實現(xiàn)方便快捷的設(shè)計。
特征描述
一流的CoolSiC? MOSFET技術(shù)
改進的引腳分配
PressFIT壓接工藝
最豐富的Easy產(chǎn)品系列
優(yōu)勢
出色的柵氧化層可靠性
功率密度和緊湊設(shè)計
實現(xiàn)快速直流充電的優(yōu)化性能
實現(xiàn)能量雙向流動
逆變器設(shè)計人員易于設(shè)計且自由度高
應(yīng)用領(lǐng)域
不間斷電源(UPS)
儲能系統(tǒng)
電動汽車快速充電
太陽能系統(tǒng)解決方案
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IPTC025N15NM6:150V OptiMOS? 6 N-通道功率 MOSFET 晶體管,PG-HDSOP-16型號:IPTC025N15NM6封裝:PG-HDSOP-16類型:N-通道功率 MOSFET 晶體管概述:IPTC025N15NM6 - 正常水平的 OptiMOS? 6 150 V 在競爭激烈的 150 V 市場中創(chuàng)造了新的性能水平。OptiMOS? 6 150 V 技IPT025N15NM6
IPT025N15NM6:150V OptiMOS? 6 功率 MOSFET 晶體管型號:IPT025N15NM6封裝:PG-HSOF-8類型:功率 MOSFET 晶體管IPT025N15NM6 - 產(chǎn)品規(guī)格:系列:OptiMOS? 6FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):150 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):26A(Ta),…電話咨詢:86-755-83294757
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