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NP30N06QDK-E1-AY - 60V、30A 雙 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

產(chǎn)品概覽

NP30N06QDK-E1-AY 是一款雙 N 溝道 MOS 場效應(yīng)晶體管，設(shè)計(jì)用于大電流開關(guān)應(yīng)用。

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品種類: MOSFET  

技術(shù): Si  

安裝風(fēng)格: SMD/SMT  

封裝 / 箱體: HSON-8  

晶體管極性: N-通道

通道數(shù)量: 1 Channel  

Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V  

Id-連續(xù)漏極電流: 30 A  

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 14 mOhms  

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V  

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.5 V  

Qg-柵極電荷: 25 nC  

最大工作溫度: + 175 C  

Pd-功率耗散: 59 W  

通道模式：增強(qiáng)型

產(chǎn)品特性

超低導(dǎo)通電阻 RDS(on)1 = 14 mΩ MAX. (VGS = 10 V，ID = 15 A） RDS(on)2 = 21 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V，ID = 7.5 A)

低 Ciss： Ciss = 1500 pF TYP. (VDS = 25 V）

專為汽車應(yīng)用設(shè)計(jì)，通過 AEC-Q101 認(rèn)證

小尺寸封裝 8 引腳 HSON 雙通道

應(yīng)用

高度集成的 100W USB-PD 充電器

• 1.平臺上看到的庫存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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  答：大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期，您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間，具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。

• 6.公司能開發(fā)票嗎？

  答：可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。