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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

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商品型號(hào):DF23MR12W1M1B11BPSA1

商品名稱:DF23MR12W1M1B11BPSA1

數(shù)據(jù)手冊(cè):DF23MR12W1M1B11BPSA1.pdf

品牌:INFINEON

年份:23+

封裝:模塊

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:5000

數(shù)量:
在線詢價(jià)

聯(lián)系人:

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號(hào)
DF23MR12W1M1B11BPSA1
封裝
模塊
描述
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV) 25A(Tj) 20mW 底座安裝

產(chǎn)品描述

DF23MR12W1M1B11BPSA1是一款帶有CoolSiC?溝槽MOSFET和PressFIT/NTC的EasyPACK?模塊。


產(chǎn)品屬性

技術(shù):碳化硅(SiC)

配置:2個(gè)N溝道(雙)。

漏極至源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV)。

功率 - 最大:20mW

工作溫度:-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型:底座安裝

封裝/外殼:模塊


特點(diǎn)描述

高電流密度

在同類產(chǎn)品中開關(guān)和傳導(dǎo)損耗非常低

低電感設(shè)計(jì)

集成溫度感應(yīng)的NTC溫度傳感器

PressFIT壓接技術(shù)

模塊符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)


優(yōu)點(diǎn)

非常高的效率和較低的冷卻要求

更高的運(yùn)行頻率

更高的功率密度

優(yōu)化客戶的開發(fā)周期并降低成本


DF23MR12W1M1B11BPSA1是升壓器 1200 V CoolSiC? MOSFET 模塊。


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描述

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FF2000UXTR33T2M1

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模塊

3000

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模塊

2000

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FF5MR20KM1HP

INFINEON

模塊

2000

碳化硅 CoolSiC? MOSFET 半橋模塊

FF5MR20KM1H

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模塊

2000

碳化硅 CoolSiC? MOSFET 半橋模塊

FF55MR12W1M1HB70

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模塊

2000

碳化硅 CoolSiC? MOSFET 半橋模塊

常見問題

  • 1.平臺(tái)上看到的庫存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎?

    答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

  • 2.公司商品都是原裝正品嗎?

    答:我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。

  • 3.可以提供原廠或代理的資質(zhì)證明嗎?

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    答:可以通過網(wǎng)站上詢價(jià),也可以通過電話以及郵箱咨詢。

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INFINEON

INFINEON

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…

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