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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

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商品型號:DF23MR12W1M1PB11BPSA1

商品名稱:DF23MR12W1M1PB11BPSA1

數(shù)據(jù)手冊:DF23MR12W1M1PB11BPSA1.pdf

品牌:INFINEON

年份:23+

封裝:模塊

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:5000

數(shù)量:
在線詢價

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公司名稱:

技術參數(shù)

制造商
INFINEON
型號
DF23MR12W1M1PB11BPSA1
封裝
模塊
描述
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV) 25A(Tj) 20mW 底座安裝

產(chǎn)品描述

DF23MR12W1M1PB11BPSA1 EasyPACK? 1B 1200 V、23 mΩ升壓模塊,配有CoolSiC? MOSFET、NTC、預涂熱界面材料和PressFIT接觸技術,升壓級中的CoolSiC?肖特基二極管的額定電流得到增強,可從光伏板獲得更高的輸入電流。


產(chǎn)品屬性

技術: 碳化硅(SiC)。

配置:2個N溝道(雙)。

漏極至源極電壓(Vdss): 1200V (1.2kV)

電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°C: 25A (Tj)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 15V

Vgs(th)(最大值)@ Id: 5.55V @ 10mA

柵極電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 62nC @ 15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1840pF @ 800V

功率 - 最大:20mW

操作溫度:-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型: 底座安裝

包裝/外殼: 模塊


特點概述

高電流密度

一流的開關和傳導損耗

低電感設計

集成NTC溫度傳感器

PressFIT接觸技術

符合RoHS標準的模塊


優(yōu)點

最高的效率,減少冷卻工作量

更高的運行頻率

更高的功率密度

優(yōu)化了客戶的開發(fā)周期時間和成本


DF23MR12W1M1PB11BPSA1是Boosters 1200 V CoolSiC? MOSFET模塊。


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常見問題

  • 1.平臺上看到的庫存、價格準確嗎?

    答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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  • 4.我可以通過公司網(wǎng)站進行詢價嗎?

    答:可以通過網(wǎng)站上詢價,也可以通過電話以及郵箱咨詢。

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INFINEON

INFINEON

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…

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