商品名稱:PSRAM 存儲器
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:24-FBGA
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
S70KS1282GABHA020 是具有 HYPERBUS? 接口的高速 CMOS 自刷新 DRAM。DRAM 陣列使用需要定期刷新的動態(tài)單元。當 HYPERBUS 接口主控器(主機)不主動讀寫存儲器時,器件內(nèi)的刷新控制邏輯會管理 DRAM 陣列上的刷新操作。由于主機無需管理任何刷新操作,因此在主機看來,DRAM 陣列就像是使用靜態(tài)單元的存儲器,無需刷新即可保留數(shù)據(jù)。這種存儲器更準確的描述是偽靜態(tài) RAM(PSRAM)。
特點
HYPERBUS 接口
支持 1.8V / 3.0V 接口
單端時鐘 - 11 個總線信號
可選差分時鐘 - 12 個總線信號
雙向讀寫數(shù)據(jù)選通 (RWDS)
在所有事務(wù)開始時輸出,指示刷新延遲
在讀取事務(wù)期間作為讀取數(shù)據(jù)選通輸出
在寫入事務(wù)期間作為寫入數(shù)據(jù)屏蔽信號輸入
可選的 DDR 中心對齊讀取前導(dǎo)信號 (DCARS)
最大時鐘頻率 200MHz
DDR - 在時鐘的兩個邊沿上傳輸數(shù)據(jù)
數(shù)據(jù)吞吐量高達 400MB/s(3,200Mbps)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
49-FBGA
3000
PSRAM(偽 SRAM) 存儲器 IC 256Mb HyperBus 200 MHz 35 ns 49-FBGA(8x8)
INFINEON
24-FBGA
3000
PSRAM(偽 SRAM) 存儲器 IC 64Mbit SPI - 八 I/O 200 MHz 35 ns 24-FBGA(6x8)
INFINEON
24-FBGA
3000
PSRAM(偽 SRAM) 存儲器 IC 64Mbit SPI - 八 I/O 200 MHz 35 ns 24-FBGA(6x8)
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團的半導(dǎo)體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價格/性能、實時響應(yīng)性、計算能…AIMCQ120R020M1T
英飛凌CoolSiC? MOSFET立足于一流的溝槽半導(dǎo)體工藝,經(jīng)過優(yōu)化,可實現(xiàn)應(yīng)用中的最低損耗和運行中的最高可靠性。CoolSiC? MOSFET分立器件系列提供400 V、650 V、1200 V、1700 V和2000 V電壓等級,7 m?-1000 m?導(dǎo)通電阻范圍的產(chǎn)品。AIMCQ120R020M1T的規(guī)格:FET 類型:N …AIMCQ120R030M1T
采用Q-DPAK封裝的AIMCQ120R030M1T 1200V 汽車CoolSiC MOSFET專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計。優(yōu)勢:更低的封裝寄生效應(yīng)更低的開關(guān)損耗簡化設(shè)計優(yōu)化的PCB組件基本參數(shù):產(chǎn)品:AIMCQ120R030M1TFET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1…AIMCQ120R040M1T
AIMCQ120R040M1T器件是1200V 汽車用CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品,它是專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計。英飛凌CoolSiC? MOSFET立足于一流的溝槽半導(dǎo)體工藝,經(jīng)過優(yōu)化,可實現(xiàn)應(yīng)用中的最低損耗和運行中的最高可靠性?;緟?shù):產(chǎn)品:AIMCQ120R040M1TFET 類型:N 通…AIMCQ120R060M1T
AIMCQ120R060M1T是一款1200 V/44 A汽車用CoolSiC? MOSFET,采用Q-DPAK封裝的CoolSiC汽車MOSFET 1200 V專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計?;緟?shù):產(chǎn)品:AIMCQ120R060M1TFET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時電流 - 連…AIMCQ120R080M1T
AIMCQ120R080M1T是一款1200 V、34A汽車用CoolSiC MOSFET。Q-DPAK封裝的CoolSiC汽車MOSFET 1200 V專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計。基本參數(shù):產(chǎn)品:AIMCQ120R080M1TFET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極…電話咨詢:86-755-83294757
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