FZ1200R45HL4 是 IHM-B 模塊,帶有溝槽/場截止 IGBT4 和發(fā)射極控制 4 二極管。
FZ1200R45HL4 的特點
電氣特性:
VcEs = 4500V
lcnom= 1200A/ ICRM= 2400A
高直流穩(wěn)定性
高短路能力
高動態(tài)穩(wěn)健性
低 VcE,sat
溝槽式 IGBT 4
正溫度系數(shù) VcE, sat
機械特性
AISiC 底板可提高熱循環(huán)能力
CTI> 600 封裝
IHM B 外殼
隔離底板
標準外殼
FZ1200R45HL4 的應用
大功率變流器
中壓變流器
輸配電
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要,在這些應用中,價格/性能、實時響應性、計算能…AIMCQ120R020M1T
英飛凌CoolSiC? MOSFET立足于一流的溝槽半導體工藝,經過優(yōu)化,可實現(xiàn)應用中的最低損耗和運行中的最高可靠性。CoolSiC? MOSFET分立器件系列提供400 V、650 V、1200 V、1700 V和2000 V電壓等級,7 m?-1000 m?導通電阻范圍的產品。AIMCQ120R020M1T的規(guī)格:FET 類型:N …AIMCQ120R030M1T
采用Q-DPAK封裝的AIMCQ120R030M1T 1200V 汽車CoolSiC MOSFET專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構應用而設計。優(yōu)勢:更低的封裝寄生效應更低的開關損耗簡化設計優(yōu)化的PCB組件基本參數(shù):產品:AIMCQ120R030M1TFET 類型:N 通道技術:SiC(碳化硅結晶體管)漏源電壓(Vdss):1…AIMCQ120R040M1T
AIMCQ120R040M1T器件是1200V 汽車用CoolSiC? MOSFET產品,它是專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構應用而設計。英飛凌CoolSiC? MOSFET立足于一流的溝槽半導體工藝,經過優(yōu)化,可實現(xiàn)應用中的最低損耗和運行中的最高可靠性?;緟?shù):產品:AIMCQ120R040M1TFET 類型:N 通…AIMCQ120R060M1T
AIMCQ120R060M1T是一款1200 V/44 A汽車用CoolSiC? MOSFET,采用Q-DPAK封裝的CoolSiC汽車MOSFET 1200 V專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構應用而設計?;緟?shù):產品:AIMCQ120R060M1TFET 類型:N 通道技術:SiC(碳化硅結晶體管)漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時電流 - 連…AIMCQ120R080M1T
AIMCQ120R080M1T是一款1200 V、34A汽車用CoolSiC MOSFET。Q-DPAK封裝的CoolSiC汽車MOSFET 1200 V專門針對OBC/DC-DC的800V汽車架構應用而設計。基本參數(shù):產品:AIMCQ120R080M1TFET 類型:N 通道技術:SiC(碳化硅結晶體管)漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極…電話咨詢:86-755-83294757
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