商品名稱:汽車 IGBT 模塊
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:模塊
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
FS1150R08A8P3LBC HybridPACK? Drive G2 模塊是一款非常緊湊的六組電源模塊,采用增強(qiáng)型封裝,專為混合動(dòng)力和電動(dòng)汽車而優(yōu)化。
FS1150R08A8P3LBC 的特點(diǎn)
VCES = 750 V
ICON = 1150 A / ICRM = 2300 A
阻斷電壓 750 V
低 VCE,sat
低開關(guān)損耗
低 Qg 和 Crss
低電感設(shè)計(jì)
4.2 kV DC 1 秒絕緣
高爬電距離和間隙距離
直接冷卻 PinFin 底板
PCB 和冷卻器裝配指南
PressFIT 接觸技術(shù)
FS1150R08A8P3LBC 的優(yōu)點(diǎn)
更高的溫度循環(huán)能力
集成二極管溫度傳感器
新型塑料材料
更強(qiáng)的耐溫能力
新型框架設(shè)計(jì)
更低的系統(tǒng) BOM
交流接觸電阻更低
標(biāo)簽溫度更低
PressFIT 觸頭技術(shù)
符合 RoHS 規(guī)范
完全無(wú)鉛
卓越的可靠性
FS1150R08A8P3LBC 的應(yīng)用
汽車應(yīng)用
(混合動(dòng)力電動(dòng)汽車 (H)EV
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
MODULE
2000
IGBT 模塊 溝槽型場(chǎng)截止 三相反相器 750 V 450 A 1053 W 底座安裝 AG-HYBRIDD-1
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IAUCN04S7N040D
IAUCN04S7N040D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào):IAUCN04S7N040D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N040D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測(cè)試穩(wěn)健…IAUCN04S7N024D
IAUCN04S7N024D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào):IAUCN04S7N024D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N024D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測(cè)試穩(wěn)健…IAUCN04S7N019D
IAUCN04S7N019D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào):IAUCN04S7N019D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測(cè)試穩(wěn)健…IPTC025N15NM6
IPTC025N15NM6:150V OptiMOS? 6 N-通道功率 MOSFET 晶體管,PG-HDSOP-16型號(hào):IPTC025N15NM6封裝:PG-HDSOP-16類型:N-通道功率 MOSFET 晶體管概述:IPTC025N15NM6 - 正常水平的 OptiMOS? 6 150 V 在競(jìng)爭(zhēng)激烈的 150 V 市場(chǎng)中創(chuàng)造了新的性能水平。OptiMOS? 6 150 V 技IPT025N15NM6
IPT025N15NM6:150V OptiMOS? 6 功率 MOSFET 晶體管型號(hào):IPT025N15NM6封裝:PG-HSOF-8類型:功率 MOSFET 晶體管IPT025N15NM6 - 產(chǎn)品規(guī)格:系列:OptiMOS? 6FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):150 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):26A(Ta),…電話咨詢:86-755-83294757
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