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A5G23H110NT4概述:
這款13.8W非對稱Doherty GaN射頻功率放大器專為2300到2400MHz頻率且需要寬瞬時帶寬的移動通信基站應用而設計。
該部件的特征參數(shù)和性能適用于運行在2300–2400MHz頻段的應用。如果將該部件用于工作頻率超出該范圍的應用,則無法保證其性能。
A5G23H110NT4特性:
高終端阻抗,支持出色的寬帶性能
利用新一代信號改進線性化誤差矢量幅值
可承受極高的輸出VSWR和寬帶運行條件
適用于復雜度較低的線性化系統(tǒng)
優(yōu)化用于5G基站mMIMO有源天線系統(tǒng)
符合RoHS規(guī)范
A5G23H110NT4規(guī)格:
技術: GaN-on-Si
Vds-漏源極擊穿電壓: 125 V
工作頻率: 2.3 GHz to 2.4 GHz
增益: 16.2 dB
輸出功率: 13.8 W
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: DFN-6
濕度敏感性: Yes
通道數(shù)量: 2 Channel
系列: A5G23H110N
工廠包裝數(shù)量: 2500
子類別: MOSFETs
類型: RF Power MOSFET
Vgs - 柵極-源極電壓: - 16 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: - 3 V
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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