商品名稱:隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-DSO-14
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:3000 件
2ED3142MC12L - EiceDRIVER? 緊湊型雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 6.5 A 灌入和 6 A 灌出峰值輸出電流,采用 14 引腳 DSO 寬體封裝,適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET。2ED3142MC12L 屬于 EiceDRIVER? 緊湊型 2ED31xx 系列(X3 緊湊型系列)。2ED3140 提供死區(qū)時(shí)間控制 (DTC) 功能和獨(dú)立通道操作。這使得它可以作為雙通道低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器、雙通道高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器或具有可配置死區(qū)時(shí)間的半橋柵極驅(qū)動(dòng)器運(yùn)行。
2ED3142MC12L - 主要特性:
適用于 600 V/650 V/1200 V/1700 V/2300 V IGBT、Si 和 SiC MOSFET
2300 V 功能偏移電壓,適用于特定應(yīng)用
電隔離無(wú)芯變壓器柵極驅(qū)動(dòng)器
高達(dá) 6.5 A 的典型峰值輸出電流
39 ns 傳播延遲
35 V 絕對(duì)最大輸出電源電壓
高共模瞬態(tài)抗擾度 CMTI > 200 kV/μs
主動(dòng)關(guān)斷和短路箝位
3.3 V 和 5 V 輸入電源電壓
禁用引腳關(guān)閉輸出
帶滯后的 8.5 V/ 9.3 V 欠壓鎖定 (UVLO) 保護(hù)
2ED3142MC12L - 應(yīng)用:
DIN 導(dǎo)軌電源
儲(chǔ)能系統(tǒng)
電動(dòng)汽車充電
通用電機(jī)驅(qū)動(dòng) - 變頻和變壓
電機(jī)控制
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開(kāi)具增值稅專用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IAUCN04S7N040D
IAUCN04S7N040D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào):IAUCN04S7N040D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N040D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測(cè)試穩(wěn)健…IAUCN04S7N024D
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IAUCN04S7N019D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào):IAUCN04S7N019D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測(cè)試穩(wěn)健…IPTC025N15NM6
IPTC025N15NM6:150V OptiMOS? 6 N-通道功率 MOSFET 晶體管,PG-HDSOP-16型號(hào):IPTC025N15NM6封裝:PG-HDSOP-16類型:N-通道功率 MOSFET 晶體管概述:IPTC025N15NM6 - 正常水平的 OptiMOS? 6 150 V 在競(jìng)爭(zhēng)激烈的 150 V 市場(chǎng)中創(chuàng)造了新的性能水平。OptiMOS? 6 150 V 技IPT025N15NM6
IPT025N15NM6:150V OptiMOS? 6 功率 MOSFET 晶體管型號(hào):IPT025N15NM6封裝:PG-HSOF-8類型:功率 MOSFET 晶體管IPT025N15NM6 - 產(chǎn)品規(guī)格:系列:OptiMOS? 6FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):150 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):26A(Ta),…電話咨詢:86-755-83294757
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