商品名稱:NOR 閃存
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:BGA-24
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
S26HS02GTFPBHB043 SEMPER? 閃存產(chǎn)品是高速 CMOS、MIRRORBIT? NOR 閃存器件,符合 JEDEC JESD251 eXpanded SPI (xSPI) 規(guī)范。
S26HS02GTFPBHB043 的規(guī)格
存儲(chǔ)器類型:非易失性
存儲(chǔ)器格式:FLASH
技術(shù):FLASH - NOR (SLC)
存儲(chǔ)器大?。?Gbit
存儲(chǔ)器組織:256M x 8
存儲(chǔ)器接口:超級總線
時(shí)鐘頻率:166 MHz
電壓 - 電源:1.7V ~ 2V
工作溫度:-40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型:表面貼裝
S26HS02GTFPBHB043 的特點(diǎn)
業(yè)內(nèi)首款符合 ISO26262 ASIL B 和 ASIL D 標(biāo)準(zhǔn)的 NOR 閃存實(shí)現(xiàn)了功能安全
英飛凌耐久性柔性架構(gòu)提供高端耐久性和長保留分區(qū)
接口 CRC 可檢測主控制器和 SEMPER? 閃存設(shè)備之間通信接口上的錯(cuò)誤
數(shù)據(jù)完整性 CRC 檢測內(nèi)存陣列中的錯(cuò)誤
SafeBoot 可報(bào)告設(shè)備初始化失敗、檢測配置損壞并提供恢復(fù)選項(xiàng)
內(nèi)置糾錯(cuò)碼 (ECC) 可糾正內(nèi)存陣列數(shù)據(jù)的單位錯(cuò)誤和檢測雙位錯(cuò)誤 (SECDED)
扇區(qū)擦除狀態(tài)指示器,用于在擦除過程中斷電
保護(hù)功能
高級扇區(qū)保護(hù),用于基于單個(gè)內(nèi)存陣列扇區(qū)的保護(hù)
通過 CS# 信號方法(JEDEC)和單獨(dú)的 RESET# 引腳進(jìn)行硬件復(fù)位
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。
答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。
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答:大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期,您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間,具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。
答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IAUCN04S7N040D
IAUCN04S7N040D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號:IAUCN04S7N040D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N040D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測試穩(wěn)健…IAUCN04S7N024D
IAUCN04S7N024D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號:IAUCN04S7N024D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N024D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測試穩(wěn)健…IAUCN04S7N019D
IAUCN04S7N019D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號:IAUCN04S7N019D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測試穩(wěn)健…IPTC025N15NM6
IPTC025N15NM6:150V OptiMOS? 6 N-通道功率 MOSFET 晶體管,PG-HDSOP-16型號:IPTC025N15NM6封裝:PG-HDSOP-16類型:N-通道功率 MOSFET 晶體管概述:IPTC025N15NM6 - 正常水平的 OptiMOS? 6 150 V 在競爭激烈的 150 V 市場中創(chuàng)造了新的性能水平。OptiMOS? 6 150 V 技IPT025N15NM6
IPT025N15NM6:150V OptiMOS? 6 功率 MOSFET 晶體管型號:IPT025N15NM6封裝:PG-HSOF-8類型:功率 MOSFET 晶體管IPT025N15NM6 - 產(chǎn)品規(guī)格:系列:OptiMOS? 6FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):150 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):26A(Ta),…電話咨詢:86-755-83294757
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