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NVHL060N065SC1 EliteSiC MOSFET是一款650V、60mΩ（典型值）、47A單N溝道MOSFET，采用緊湊、高效的設(shè)計(jì) 實(shí)現(xiàn)高的熱性能。該MOSFET采用 全新的技術(shù)，與硅器件相比，具有更出色的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性。此外，低導(dǎo)通電阻和緊湊的芯片尺寸可確保低電容和低柵極電荷。典型應(yīng)用包括汽車(chē)車(chē)載充電器和電動(dòng)汽車(chē) (EV) 直流/直流轉(zhuǎn)換器。

NVHL060N065SC1的規(guī)格：

通道模式：Enhancement

配置：Single

下降時(shí)間：8 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值：2 S

Id-連續(xù)漏極電流：47 A

最大工作溫度：+ 175°C

最小工作溫度：- 55°C

安裝風(fēng)格：Through Hole

通道數(shù)量：1 Channel

封裝 / 箱體：TO-247-3

封裝：Tube

Pd-功率耗散：176 W

產(chǎn)品類(lèi)型：SiC MOSFETS

Qg-柵極電荷：74 nC

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：44 mOhms

上升時(shí)間：32 ns

系列：NVHL060N065SC1

工廠(chǎng)包裝數(shù)量：450

子類(lèi)別：Transistors

技術(shù)：SiC

商標(biāo)名：EliteSiC

晶體管極性：N-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：23 ns

典型接通延遲時(shí)間：12 ns

Vds-漏源極擊穿電壓：650 V

Vgs - 柵極-源極電壓：- 8 V, + 22 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：4.3 V

• 1.平臺(tái)上看到的庫(kù)存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線(xiàn)商品均可在線(xiàn)即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大，目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線(xiàn)聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

• 2.公司商品都是原裝正品嗎？

  答：我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠(chǎng)或授權(quán)代理商，來(lái)源均可追溯，確保原裝正品。

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  答：目前我們自營(yíng)代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一線(xiàn)品牌，其他渠道均為原廠(chǎng)及代理渠道。如有需要，我們可以針對(duì)具體品牌型號(hào)來(lái)溝通確認(rèn)。

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  答：大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期，您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間，具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉(cāng)庫(kù)、您所選擇的物流方式而定。

• 6.公司能開(kāi)發(fā)票嗎？

  答：可以為個(gè)人用戶(hù)開(kāi)具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶(hù)開(kāi)具增值稅專(zhuān)用發(fā)票。