商品名稱:碳化硅 (SiC) MOSFET
品牌:Qorvo
年份:24+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
UJ3C120080K3S 1200 V、80 mohm SiC FET器件基于獨特的級聯(lián)配置,并針對軟開關設計進行了優(yōu)化。UJ3C SiC FET非常適合用于升級現(xiàn)有基于硅的器件或啟動基于SiC的新設計。
UJ3C120080K3S的規(guī)格:
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降時間:14 ns
Id-連續(xù)漏極電流:33 A
最大工作溫度:+ 175°C
最小工作溫度:- 55°C
安裝風格:Through Hole
通道數(shù)量:1 Channel
封裝 / 箱體:TO-247-3
封裝:Tube
Pd-功率耗散:254.2 W
產(chǎn)品類型:SiC MOSFETS
Qg-柵極電荷:51 nC
資格:AEC-Q101
Rds On-漏源導通電阻:100 mOhms
上升時間:14 ns
系列:UJ3C
工廠包裝數(shù)量:600
子類別:Transistors
技術:SiC
商標名:SiC FET
晶體管極性:N-Channel
典型關閉延遲時間:61 ns
典型接通延遲時間:22 ns
Vds-漏源極擊穿電壓:1.2 kV
Vgs - 柵極-源極電壓:- 25 V, + 25 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V
單位重量:6 g
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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Qorvo總部位于美國北卡羅來納州,匯聚30余年的設計經(jīng)驗,全球擁有近8,000名員工。Qorvo在中國具有兩大生產(chǎn)基地,位于北京市和山東省德州市。Qorvo(Beijing)成立于2001年6月28日,位于北京亦莊經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū), 現(xiàn)有員工2400余人;Qorvo(Dezhou)成立于2015年,位于山東省德…
QPA3350
QPA3350是一款混合功率倍增放大器模塊。該器件采用GaAs/GaN芯片,工作頻率范圍為45 MHz至1003 MHz。它具有出色的線性度、出色的回波損耗性能、低噪聲和最佳可靠性。QPA3350的規(guī)格:工作頻率:45 MHz to 1.003 GHz工作電源電壓:24 V工作電源電流:470 mA增益:25 dBNF—噪…QPA3340
QPA3340是一款混合功率倍增放大器模塊。該器件采用GaAs/GaN芯片,工作頻率范圍為45 MHz至1003 MHz。它具有出色的線性度、出色的回波損耗性能、低噪聲和最佳可靠性。該器件適合用于45–1003 MHz有線電視放大器系統(tǒng)。QPA3340的規(guī)格:工作頻率:45 MHz to 1.003 GHz工作電源…QPA3357
QPA3357是一款采用混合封裝的GaAs pHEMT/MESFET 75Ω倍頻射頻放大器,具有超過28dB的平坦增益。QPA3357設計用于通過單個24V電源支持高達1218MHz的有線數(shù)據(jù)傳輸業(yè)務接口規(guī)范 (DOCSIS) 3.1應用。QPA3357具有低噪聲、低失真和高效率,功耗低至10.5W。QPA3357的規(guī)格:工作頻率…QPA3359
QPA3359是一款推挽放大器模塊。該器件采用GaAs pHEMT/MESFET芯片,工作頻率范圍為47 MHz至1218 MHz。它具有出色的線性度、出色的回波損耗性能、低噪聲和最佳可靠性。QPA3359的規(guī)格:工作頻率:45 MHz to 1.218 GHz工作電源電壓:24 V工作電源電流:260 mA增益:28 dBNF—…QPA1725
QPA1725是一款大功率、封裝Ku波段MMIC放大器,采用Qorvo的0.15um碳化硅基氮化鎵工藝 (QGaN15) 制造。QPA1725針對17.3GHz至21.2GHz Satcom頻段,同時提供10W線性功率,三階互調(diào)失真積為20dBc。此外,QPA1725可提供高達20W輸出功率,小信號增益為33dB,功率附加效率為25%。…QPA1009D
QPA1009D是一款寬帶功率放大器MMIC,采用Qorvo生產(chǎn)的0.15 um GaN on SiC工藝(QGaN15)制造。QPA1009D覆蓋10.7–12.7 GHz,提供超過17.5瓦的飽和輸出功率和17 dB的大信號增益,同時實現(xiàn)超過40%的功率附加效率。QPA1006D適用于各種工作條件,包括CW工作模式。因此,該器件非…電話咨詢:86-755-83294757
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