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C3M0065100K是基于第三代技術(shù)的1000 V, 65 mΩ, 35 A碳化硅功率MOSFET，采用增強(qiáng)型四引腳TO-247-4封裝，設(shè)有Kelvin柵極連接。 該Kelvin源設(shè)計(jì)顯著降低了開關(guān)損耗和柵極振鈴。 該款MOSFET具有低導(dǎo)通電阻、低輸出電容和低源極電感，優(yōu)化用于電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)和三相工業(yè)電源。

C3M0065100K的規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiC

漏源電壓（Vdss）：1000 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：35A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：78 毫歐 @ 20A，15V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 5mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：35 nC @ 15 V

Vgs（最大值）：+19V，-8V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：660 pF @ 600 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：113.5W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：TO-247-4L

封裝/外殼：TO-247-4

基本產(chǎn)品編號(hào)：C3M0065100

• 1.平臺(tái)上看到的庫存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

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  答：我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

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