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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

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商品型號:MSC080SMA120SDT

商品名稱:碳化硅 (SiC) MOSFET

品牌:Microchip

年份:24+

封裝:TO-263-7

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:3000

數(shù)量:
在線詢價(jià)

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
Microchip
型號
MSC080SMA120SDT
封裝
TO-263-7
描述
碳化硅 (SiC) MOSFET 表面貼裝型 N 通道 1200 V 43A(Tc) 268W(Tc) TO-263-7

產(chǎn)品描述

MSC080SMA120SDT是1200V、43A碳化硅MOSFET,采用TO-263-7封裝,具有低電容和低柵極電荷。Microchip SiC解決方案專注于高性能,有助于最大限度地提高系統(tǒng)效率,并最小化系統(tǒng)重量和尺寸。


MSC080SMA120SDT的規(guī)格:

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時(shí)間:12 ns

Id-連續(xù)漏極電流:43 A

最大工作溫度:+ 175°C

最小工作溫度:- 55°C

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

通道數(shù)量:1 Channel

封裝 / 箱體:TO-263-7

Pd-功率耗散:268 W

產(chǎn)品類型:SiC MOSFETS

Qg-柵極電荷:64 nC

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:100 mOhms

上升時(shí)間:10 ns

工廠包裝數(shù)量:800

子類別:Transistors

技術(shù):SiC

晶體管極性:N-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:22 ns

典型接通延遲時(shí)間:13 ns

Vds-漏源極擊穿電壓:1.2 kV

Vgs - 柵極-源極電壓:- 10 V, + 23 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:5 V


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TO-247-4

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SiC MOSFET 通孔 N 通道 650 V 100A(Tc) 342W(Tc) TO-247-4L(X)

常見問題

  • 1.平臺上看到的庫存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎?

    答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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Microchip

Microchip

Microchip Technology Incorporated(納斯達(dá)克股市代號:MCHP)美國微芯半導(dǎo)體是全球領(lǐng)先的單片機(jī)和模擬半導(dǎo)體供應(yīng)商,為全球數(shù)以千計(jì)的消費(fèi)類產(chǎn)品提供低風(fēng)險(xiǎn)的產(chǎn)品開發(fā)、更低的系統(tǒng)總成本和更快的產(chǎn)品上市時(shí)間。Microchip公司自成立以來,就密切關(guān)注嵌入控制半導(dǎo)體產(chǎn)品市…

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