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MD29HTC120P6HET 1200V/2.83mΩ SiC MOSFET 模塊 6 封裝。SiC MOSFET 功率模塊具有極低的 RDS(on)和極高的阻斷電壓。它專為混合動力和電動汽車等應用而設計。

MD29HTC120P6HET

封裝：P6

額定電流：-

芯片類型：SIC

額定電壓：1200V

電路結構：Sixpack/六單元

特征：PINFIN基板

特點

? SiC 功率 MOSFET

? 具有低 RDS（導通）的高阻塞電壓

? 易于并聯(lián)，驅動簡單

? 低電感情況下避免振蕩

? 采用 Si3N4 AMB 技術的隔離式銅針腳基板

典型應用

? 汽車應用

? 混合動力和電動汽車

? 電機驅動用逆變器

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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  答：我們的自營商品均采自合作的國內外原廠或授權代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

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  答：可以通過網站上詢價，也可以通過電話以及郵箱咨詢。

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  答：大部分商品信息中都有標注貨期，您可根據(jù)貨期估計商品的發(fā)貨時間，具體到貨時間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。

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  答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。