商品名稱：SDRAM 存儲器
品牌：Alliance
年份：24+
封裝：FBGA-78
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：2000 件
AS4C1G8D4A-62BCN 是一種高速動態(tài)隨機存取存儲器，內部有十六個存儲塊。DDR4 SDRAM 采用 8n 預取架構，可實現(xiàn)高速運行。
AS4C1G8D4A-62BCN 的規(guī)格
類型： SDRAM - DDR4
內存大?。? Gbit
數(shù)據(jù)總線寬度：8 位
最高時鐘頻率： 1.6 GHz
封裝/外殼 FBGA-78
組織結構 1 G x 8
電源電壓 - 最低 1.14 V
電源電壓 - 最大值：1.26 V
最低工作溫度 0 C
最高工作溫度 + 95 C
AS4C1G8D4A-62BCN 的特點
符合 JEDEC 標準
快速時鐘頻率： 1600MHz
支持 JEDEC 時鐘抖動規(guī)范
16 個內部存儲體： 4 組，每組 4 個存儲體
按庫組分列的 IO 門控結構
8n 位預取架構
預充電和主動掉電
自動刷新和自刷新
低功耗自動自我刷新 (LPASR)
自刷新中止
細粒度刷新
讀取前導碼訓練
控制齒輪下降模式
每 DRAM 尋址能力 (PDA)
輸出驅動器阻抗控制
動態(tài)芯片上終止 (ODT)
輸入數(shù)據(jù)屏蔽 (DM) 和數(shù)據(jù)總線反轉 (DBI)
ZQ 校準
命令/地址延遲 (CAL)
最大省電模式 (MPSM)
異步復位
DLL 啟用/禁用
突發(fā)長度（BL8/BC4/BC4 或實時 8）
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Winbond
WFBGA-200
2000
SDRAM - Mobile LPDDR4 存儲器 IC 2Gb LVSTL_11 1.6 GHz 3.6 ns 200-TFBGA（10x14.5）
Winbond
VFBGA-96
2000
SDRAM - DDR3L 存儲器 IC 2Gb 并聯(lián) 1.067 GHz 20 ns 96-VFBGA（7.5x13）
答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。
答：我們的自營商品均采自合作的國內外原廠或授權代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。
答：目前我們自營代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一線品牌，其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要，我們可以針對具體品牌型號來溝通確認。
答：可以通過網(wǎng)站上詢價，也可以通過電話以及郵箱咨詢。
答：大部分商品信息中都有標注貨期，您可根據(jù)貨期估計商品的發(fā)貨時間，具體到貨時間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。
答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
Alliance Memory 是一家生產(chǎn)傳統(tǒng)和新技術存儲器產(chǎn)品的全球化無晶圓廠制造商，其產(chǎn)品用于直接替代 Micron、Samsung、ISSI、Cypress、Nanya、Hynix 和其他公司的 SRAM、DRAM 和 NOR FLASH IC 產(chǎn)品。他們的產(chǎn)品組合包括與主流數(shù)字信號處理器 (DSP) 和微控制器配套使用的全系…
AS9F38G08SA-25BIN
AS9F38G08SA-25BIN 是 8Gbit SLC 并聯(lián) NAND 閃存存儲器，采用 3.3V Vcc 電源供電，具有 x8 I/O 接口。其 NAND 單元為固態(tài)大容量存儲市場提供了最具成本效益的解決方案。該存儲器分為多個可獨立擦除的塊，因此可以在擦除舊數(shù)據(jù)的同時保留有效數(shù)據(jù)。型號：AS9F38G08SA-25BI…
AS9F34G08SA-25BIN
型號：AS9F34G08SA-25BIN封裝：FBGA-63類型：NAND 閃存存儲器詳細描述：AS9F34G08SA-25BIN - 4Gbit、x8 位、3.3V SLC 并聯(lián) NAND 閃存存儲器AS9F34G08SA-25BIN - 產(chǎn)品屬性：存儲器類型：非易失存儲器格式：閃存技術：FLASH - NAND（SLC）存儲容量：4Gb存儲器組織：512M x …
AS9F32G08SA-25BIN
AS9F32G08SA-25BIN - 2Gbit、x8 位、3.3V SLC 并聯(lián) NAND 閃存存儲器AS9F32G08SA-25BIN - 產(chǎn)品屬性：存儲器類型：非易失存儲器格式：閃存技術：FLASH - NAND（SLC）存儲容量：4Gb存儲器組織：512M x 8存儲器接口：并聯(lián)寫周期時間 - 字，頁：25ns，700s訪問時間：20 ns電壓…
AS9F31G08SA-25BIN
AS9F31G08SA-25BIN - 1Gbit、x8 位、3.3V SLC 并行 NAND 閃存存儲器AS9F31G08SA-25BIN - 產(chǎn)品描述：AS9F31G08SA-25BIN 是 SLC 并行 NAND 閃存，采用 3.3V Vcc 電源供電，具有 x8 I/O 接口。它的 NAND 單元為固態(tài)大容量存儲市場提供了最具成本效益的解決方案。該存儲器分為…
AS6C1616C-45TINTR
AS6C1616C-45TINTR - 16Mb（1M x 16 位）低功耗 CMOS SRAM，帶可切換 IO 選項（x16 或 x8）AS6C1616C-45TINTR - 產(chǎn)品描述：AS6C1616C-45TINTR 是一款 16,777,216 位低功耗 CMOS 靜態(tài)隨機存取存儲器，按 16 位 1,048,576 字或 8 位 2,097,152 字組織。它采用高性能、高可靠…
ASFC32G31T3-51BIN
ASFC32G31T3-51BIN e-MMC 是一種可管理的非易失性存儲器，由單芯片 MMC 控制器和 NAND 閃存芯片組成，采用 JEDEC 定義的標準 BGA 封裝。它是專為存儲數(shù)據(jù)和作為啟動媒體而設計的小型存儲器產(chǎn)品。ASFC32G31T3-51BIN 的規(guī)格封裝/外殼： FBGA-153 內存大小：32 GB 配置：TLC…電話咨詢：86-755-83294757
企業(yè)QQ：1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
服務時間：9:00-18:00
聯(lián)系郵箱：chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址：廣東省深圳市福田區(qū)振中路新亞洲國利大廈1239-1241室
CopyRight?2022 版權歸明佳達電子公司所有 粵ICP備05062024號-12
官方二維碼
友情鏈接:
