Kioxia SLC NAND 和 BENAND? 閃存可為敏感或頻繁使用的系統(tǒng)數(shù)據(jù)提供同類最佳的耐用性和數(shù)據(jù)保留能力。這些器件采用領先的 24 納米生產(chǎn)技術,同時支持更小的電路板尺寸(移動設備等)。
TH58NVG2S3HAI0—FLASH - NAND(SLC) 存儲器 IC 4Gb 并聯(lián) 25 ns 48-TSOP I
類別: 存儲器
制造商: Kioxia America, Inc.
包裝: 托盤
零件狀態(tài): 在售
存儲器類型: 非易失
存儲器格式: 閃存
技術: FLASH - NAND(SLC)
存儲容量: 4Gb
存儲器組織: 512M x 8
存儲器接口: 并聯(lián)
寫周期時間 - 字,頁: 25ns
訪問時間: 25 ns
電壓 - 供電: 2.7V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型: 表面貼裝型
封裝/外殼: 48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬)
供應商器件封裝: 48-TSOP I
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ISSI
TSOP-48
2000
NAND閃存 SLC NAND,4Gb (x8, 8bit ECC) 3V,48-pin TSOP (Type I) 12x20mm
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(KIOXIA)鎧俠是全球存儲器解決方案領導者,致力于開發(fā)、生產(chǎn)和銷售閃存及固態(tài)硬盤(SSD)。東芝公司于1987年發(fā)明了NAND閃存, 2017年4月,鎧俠前身東芝存儲器集團從東芝公司剝離,開創(chuàng)了先進的存儲解決方案和服務,可豐富人們的生活并擴大社會的視野。鎧俠創(chuàng)新的3D閃存技…
TH58NVG2S3HTAI0
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THGAMVG9T23BAIL NAND 閃存采用了比特列堆疊 (BiCS) FLASH? 3D 技術。這些閃存為需要以經(jīng)濟高效的方式存儲大量數(shù)據(jù)的應用提供了最佳解決方案。功能特點16GB 至 128GB 內(nèi)存BiCS 3D NAND 技術多層單元 (MLC) 技術符合最新的 JEDEC 5.1 版標準集成內(nèi)存管理:糾錯碼壞塊管理…THGBMNG5D1LBAIT
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THGBMJG6C1LBAU7 8Gbit THGBM e-MMC?托管型NAND閃存是先進、高效的器件,具有集成控制器、增強型存儲管理。集成的存儲管理功能包括糾錯、損耗均衡和壞塊管理。該THGBM e-MMC閃存器件符合JEDEC 5.0 (4GB) 和5.1版標準,為具有更高數(shù)據(jù)速度和容量要求的應用提供了理想的解…電話咨詢:86-755-83294757
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