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商品名稱(chēng):IMBG120R030M1H
數(shù)據(jù)手冊(cè):IMBG120R030M1H.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TO-263-7
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
IMBG120R030M1H 是采用D2PAK-7L (TO-263-7)封裝的1200 V, 30 mΩ CoolSiC? SiC MOSFET,它基于先進(jìn)的溝槽工藝,該工藝經(jīng)過(guò)優(yōu)化,兼具性能與可靠性。它采用改良版1200V SMD封裝,將CoolSiC技術(shù)的低功耗特性與.XT互聯(lián)技術(shù)相結(jié)合,可在電機(jī)驅(qū)動(dòng)、充電模塊以及工業(yè)電源等應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)最高效率和被動(dòng)制冷。
特征描述
極低的開(kāi)關(guān)損耗
短路能力:3 μs
dV/dt完全可控
柵極閾值電壓典型值:VGS(th) = 4.5 V
出色的抗寄生導(dǎo)通能力,能夠?qū)崿F(xiàn)0V關(guān)斷
牢固的體二極管,可用于硬開(kāi)關(guān)
.XT互聯(lián)技術(shù),實(shí)現(xiàn)一流的熱性能
封裝爬電距離和電氣間隙 > 6.1 mm
Sense引腳,優(yōu)化了開(kāi)關(guān)性能
優(yōu)勢(shì)
提高效率
實(shí)現(xiàn)更高的工作頻率
增加功率密度
減少冷卻工作
降低系統(tǒng)復(fù)雜程度和成本
SMD封裝,無(wú)需增設(shè)散熱器,即可實(shí)現(xiàn)自然對(duì)流冷卻,因此可直接集成到PCB中
應(yīng)用領(lǐng)域
不間斷電源(UPS)
電動(dòng)汽車(chē)快速充電
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制
太陽(yáng)能系統(tǒng)解決方案
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
汽車(chē)用CoolSiC? MOSFET 1200 V/116 A ?Q-DPAK封裝 (HDSOP-22-3), 19 m?
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
汽車(chē)用CoolSiC? MOSFET 1200 V/78 A ?Q-DPAK封裝 (HDSOP-22-3), 30 m?
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
汽車(chē)用CoolSiC? MOSFET 1200 V/61 A ?Q-DPAK封裝 (HDSOP-22-3), 40 m?
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
汽車(chē)用CoolSiC? MOSFET 1200 V/44 A ?Q-DPAK封裝 (HDSOP-22-3), 60 m?
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
汽車(chē)用CoolSiC? MOSFET 1200 V/34 A ?Q-DPAK封裝 (HDSOP-22-3), 80 m?
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
汽車(chē)用CoolSiC? MOSFET 1200 V/24 A Q-DPAK封裝 (HDSOP-22-3), 117 m?
INFINEON
PG-HDSOP-22
3000
汽車(chē)用CoolSiC? MOSFET 1200 V/18.6 A Q-DPAK封裝 (HDSOP-22-3), 160 m?
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱(chēng)為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線(xiàn)、總線(xiàn)仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿(mǎn)足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IAUCN04S7N040D
IAUCN04S7N040D:40V,汽車(chē) MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào):IAUCN04S7N040D封裝:PG-TDSON-8類(lèi)型:汽車(chē) MOSFET 晶體管IAUCN04S7N040D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測(cè)試穩(wěn)健…IAUCN04S7N024D
IAUCN04S7N024D:40V,汽車(chē) MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào):IAUCN04S7N024D封裝:PG-TDSON-8類(lèi)型:汽車(chē) MOSFET 晶體管IAUCN04S7N024D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測(cè)試穩(wěn)健…IAUCN04S7N019D
IAUCN04S7N019D:40V,汽車(chē) MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào):IAUCN04S7N019D封裝:PG-TDSON-8類(lèi)型:汽車(chē) MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測(cè)試穩(wěn)健…IPTC025N15NM6
IPTC025N15NM6:150V OptiMOS? 6 N-通道功率 MOSFET 晶體管,PG-HDSOP-16型號(hào):IPTC025N15NM6封裝:PG-HDSOP-16類(lèi)型:N-通道功率 MOSFET 晶體管概述:IPTC025N15NM6 - 正常水平的 OptiMOS? 6 150 V 在競(jìng)爭(zhēng)激烈的 150 V 市場(chǎng)中創(chuàng)造了新的性能水平。OptiMOS? 6 150 V 技IPT025N15NM6
IPT025N15NM6:150V OptiMOS? 6 功率 MOSFET 晶體管型號(hào):IPT025N15NM6封裝:PG-HSOF-8類(lèi)型:功率 MOSFET 晶體管IPT025N15NM6 - 產(chǎn)品規(guī)格:系列:OptiMOS? 6FET 類(lèi)型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):150 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):26A(Ta),…電話(huà)咨詢(xún):86-755-83294757
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