商品名稱:IMBG120R045M1H
數(shù)據(jù)手冊(cè):IMBG120R045M1H.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TO-263-7
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
IMBG120R045M1H是采用D2PAK-7L (TO-263-7)封裝的1200 V, 45 mΩ CoolSiC? SiC MOSFET,它基于先進(jìn)的溝槽工藝,該工藝經(jīng)過(guò)優(yōu)化,兼具性能與可靠性。它采用改良版1200V SMD封裝,將CoolSiC技術(shù)的低功耗特性與.XT互聯(lián)技術(shù)相結(jié)合,可在電機(jī)驅(qū)動(dòng)、充電模塊以及工業(yè)電源等應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)最高效率和被動(dòng)制冷。
產(chǎn)品屬性
系列: CoolSiC?
FET 類型: N 通道
技術(shù): SiCFET(碳化硅)
漏源電壓(Vdss): 1200 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id): 47A(Tc)
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值): 63 毫歐 @ 16A,18V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值): 5.7V @ 7.5mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值): 46 nC @ 18 V
Vgs(最大值): +18V,-15V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值): 1527 pF @ 800 V
FET 功能: 標(biāo)準(zhǔn)
功率耗散(最大值): 227W(Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型: 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝: PG-TO263-7-12
封裝/外殼: TO-263-8,D2Pak(7 引線+接片),TO-263CA
基本產(chǎn)品編號(hào): IMBG120
優(yōu)勢(shì)
提高效率
實(shí)現(xiàn)更高的工作頻率
增加功率密度
減少冷卻工作
降低系統(tǒng)復(fù)雜程度和成本
SMD封裝,無(wú)需增設(shè)散熱器,即可實(shí)現(xiàn)自然對(duì)流冷卻,因此可直接集成到PCB中
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
汽車用CoolSiC? MOSFET 1200 V/116 A ?Q-DPAK封裝 (HDSOP-22-3), 19 m?
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
汽車用CoolSiC? MOSFET 1200 V/78 A ?Q-DPAK封裝 (HDSOP-22-3), 30 m?
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
汽車用CoolSiC? MOSFET 1200 V/61 A ?Q-DPAK封裝 (HDSOP-22-3), 40 m?
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
汽車用CoolSiC? MOSFET 1200 V/44 A ?Q-DPAK封裝 (HDSOP-22-3), 60 m?
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
汽車用CoolSiC? MOSFET 1200 V/34 A ?Q-DPAK封裝 (HDSOP-22-3), 80 m?
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
汽車用CoolSiC? MOSFET 1200 V/24 A Q-DPAK封裝 (HDSOP-22-3), 117 m?
INFINEON
PG-HDSOP-22
3000
汽車用CoolSiC? MOSFET 1200 V/18.6 A Q-DPAK封裝 (HDSOP-22-3), 160 m?
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IAUCN04S7N040D
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IAUCN04S7N024D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào):IAUCN04S7N024D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N024D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測(cè)試穩(wěn)健…IAUCN04S7N019D
IAUCN04S7N019D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào):IAUCN04S7N019D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測(cè)試穩(wěn)健…IPTC025N15NM6
IPTC025N15NM6:150V OptiMOS? 6 N-通道功率 MOSFET 晶體管,PG-HDSOP-16型號(hào):IPTC025N15NM6封裝:PG-HDSOP-16類型:N-通道功率 MOSFET 晶體管概述:IPTC025N15NM6 - 正常水平的 OptiMOS? 6 150 V 在競(jìng)爭(zhēng)激烈的 150 V 市場(chǎng)中創(chuàng)造了新的性能水平。OptiMOS? 6 150 V 技IPT025N15NM6
IPT025N15NM6:150V OptiMOS? 6 功率 MOSFET 晶體管型號(hào):IPT025N15NM6封裝:PG-HSOF-8類型:功率 MOSFET 晶體管IPT025N15NM6 - 產(chǎn)品規(guī)格:系列:OptiMOS? 6FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):150 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):26A(Ta),…電話咨詢:86-755-83294757
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