商品名稱：SCTH70N120G2V-7
數據手冊：
SCTH70N120G2V-7.pdf
品牌：ST
年份：23+
封裝：H2PAK-7
貨期：全新原裝
庫存數量：3000 件
SCTH70N120G2V-7 1200V 碳化硅功率MOSFET具有30m?（典型值）和 90A（額定值）特性。此器件具有出色的開關性能，以及極低的單位面積導通電阻RDS(on)性能指標，從而實現了更高效、更緊湊的系統(tǒng)。
產品規(guī)格：
FET 類型：N 通道
技術：SiCFET（碳化硅）
漏源電壓（Vdss）：1200 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：90A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：30 毫歐 @ 50A，18V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.9V @ 1mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：150 nC @ 18 V
Vgs（最大值）：+22V，-10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：3540 pF @ 800 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：469W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
供應商器件封裝：H2PAK-7
封裝/外殼：TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA
型號
品牌
封裝
數量
描述
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