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IXTP160N10T描述：

IXYS Gen1 溝槽柵功率 MOSFET 非常適合低電壓/高電流應用，需要極低的 RDS(ON)，從而實現(xiàn)極低的功率耗散。此外，它們的工作結溫范圍很寬，從 -40°C 到 175°C，因此非常適合汽車應用和其他類似的嚴苛環(huán)境應用。

IXTP160N10T產品屬性：

制造商:IXYS

產品種類: MOSFET

安裝風格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-220-3

晶體管極性: N-Channel

通道數量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V

Id-連續(xù)漏極電流: 160 A

Rds On-漏源導通電阻: 7 mOhms

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 430 W

通道模式: Enhancement

商標名: HiPerFET

配置: Single

下降時間: 42 ns

高度: 9.15 mm

長度: 10.66 mm

產品類型: MOSFETs

上升時間: 61 ns

系列: IXTP160N10

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關閉延遲時間: 49 ns

典型接通延遲時間: 33 ns

寬度: 4.83 mm

單位重量:2 g

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