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STW35N60DM2 高壓 N 溝道功率 MOSFET 是 MDmesh? DM2 快速恢復(fù)二極管系列的一部分。它具有非常低的恢復(fù)電荷 （Qrr） 和時(shí)間 （trr） 以及低 RDS（on），使其適用于最苛刻的高效率轉(zhuǎn)換器，是橋式拓?fù)浜?ZVS 相移轉(zhuǎn)換器的理想選擇。

STW35N60DM2 的規(guī)格

產(chǎn)品種類：MOSFET

RoHS： 詳細(xì)信息

技術(shù)：Si

安裝風(fēng)格：Through Hole

封裝 / 箱體：TO-247-3

晶體管極性：N-Channel

通道數(shù)量：1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：600 V

Id-連續(xù)漏極電流：28 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：110 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓：- 25 V, + 25 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：3 V

Qg-柵極電荷：54 nC

工作溫度：- 55°C 至 + 150°C

Pd-功率耗散：210 W

通道模式：Enhancement

商標(biāo)名：MDmesh

封裝：Tube

商標(biāo)：STMicroelectronics

配置：Single

下降時(shí)間：10.7 ns

產(chǎn)品類型：MOSFETs

上升時(shí)間：17 ns

系列：STW35N60DM2

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  答：我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

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