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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

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商品型號:IQE030N06NM5CGSCATMA1

商品名稱:IQE030N06NM5CGSCATMA1

數(shù)據(jù)手冊:IQE030N06NM5CGSCATMA1.pdf

品牌:INFINEON

年份:23+

封裝:PG-WHTFN-9

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:3000

數(shù)量:
在線詢價

聯(lián)系人:

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號
IQE030N06NM5CGSCATMA1
封裝
PG-WHTFN-9
描述
表面貼裝型 N 通道 60V 21A(Ta),132A(Tc) 2.5W(Ta),100W(Tc)PG-WHTFN-9-1

產(chǎn)品描述

IQE030N06NM5CGSCATMA1功率MOSFET的設(shè)計符合提升系統(tǒng)效率的需求,同時可降低系統(tǒng)成本。相較于其他備選器件,這些器件的RDS(on)和品質(zhì)因數(shù) (RDS(on) x Qg) 更低。該產(chǎn)品采用新型硅技術(shù),經(jīng)優(yōu)化可達(dá)到并超過能源效率和功率密度要求。典型應(yīng)用包括計算領(lǐng)域中的服務(wù)器、數(shù)據(jù)通信和客戶端應(yīng)用。它們還可用于開關(guān)模式電源 (SMPS) 中的同步整流以及電機(jī)控制、微型太陽能逆變器和快速開關(guān)直流/直流轉(zhuǎn)換器應(yīng)用。


產(chǎn)品規(guī)格:

FET 類型:N 通道

技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):60 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):21A(Ta),132A(Tc)

驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):3 毫歐 @ 20A,10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3.3V @ 50μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):49 nC @ 10 V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):3800 pF @ 30 V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):2.5W(Ta),100W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝:PG-WHTFN-9-1

封裝/外殼:9-PowerWDFN


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IQD009N06NM5CGSC

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PG-WHTFN-9

1680

N 通道 60 V 42A(Ta),445A(Tc) 3W(Ta),333W(Tc) PG-WHTFN-9-U02

IQDH88N06LM5SC

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PG-WHSON-8

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OptiMOS? 功率 MOSFET 60 V,采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封裝,具有業(yè)界領(lǐng)先的 RDS(on)

IQD005N04NM6CGSC

INFINEON

PG-WHTFN-9

1000

OptiMOS? 功率 MOSFET 40 V 正常電平,采用 PQFN 5x6 下源中心柵 DSC 封裝

常見問題

  • 1.平臺上看到的庫存、價格準(zhǔn)確嗎?

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    答:可以通過網(wǎng)站上詢價,也可以通過電話以及郵箱咨詢。

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    答:大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期,您可根據(jù)貨期估計商品的發(fā)貨時間,具體到貨時間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。

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