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TMS5702135DPGEQQ1器件集成了 ARM Cortex-R4F 浮點 CPU，此 CPU 可提供一個高效的 1.66 DMIPS/MHz，并且 具有能夠以高達 180 MHz 運行的配置，從而提供高達 298 DMIPS。 此器件支持字不變大端序 [BE32] 格式。

TMS5702135DPGEQQ1 器件具有 最高到 3MB 的集成閃存以及 最高達 256KB 的數(shù)據(jù) RAM，這些閃存和 RAM 支持單位錯誤校正和雙位錯誤檢測。 這個器件上的閃存存儲器是一個由 64 位寬數(shù)據(jù)總線接口實現(xiàn)的非易失性、電可擦除并且可編程的存儲器。 為了實現(xiàn)所有讀取、編程和擦除操作，此閃存運行在一個 3.3V 電源輸入上（與 I/O 電源一樣的電平）。 當處于管線模式中時，閃存可在高達 180MHz 的系統(tǒng)時鐘頻率下運行。 在字節(jié)、半字、字和雙字模式中，SRAM 支持單循環(huán)讀取和寫入訪問。

TMS5702135DPGEQQ1器件特有針對基于實時控制應用的外設(shè)，其中包括 2 個下一代高端定時器 (N2HET) 時序協(xié)處理器和 2 個支持多達 24 個輸入的 12 位模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) 。

器件屬性：

核心處理器： ARM? Cortex?-R4F  

內(nèi)核規(guī)格： 16/32-位  

速度： 160MHz  

連接能力： CANbus，EBI/EMI，F(xiàn)lexRay，I2C，LINbus，MibSPI，SCI，SPI，ART/USART  

外設(shè)： DMA，POR，PWM，WDT  

I/O 數(shù)： 58  

程序存儲容量： 2MB（2M x 8）  

程序存儲器類型： 閃存  

EEPROM 容量： 64K x 8  

RAM 大?。?56K x 8  

電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)： 1.14V ~ 3.6V  

數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 24x12b  

振蕩器類型： 外部  

工作溫度： -40°C ~ 125°C（TA）  

安裝類型： 表面貼裝型  

封裝/外殼： 144-LQFP  

供應商器件封裝： 144-LQFP（20x20）

應用范圍

? 剎車系統(tǒng)（防抱死制動系統(tǒng)和電子穩(wěn)定性控制）

? 電動助力轉(zhuǎn)向

? 混合動力汽車 (HEV) 和電動汽車 (EV) 反向器系統(tǒng)

? 電池管理系統(tǒng)

? 主動駕駛員輔助系統(tǒng)

? 航天和航空電子設(shè)備

? 軌道交通

? 越野車

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