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AI 處理器

AI 加速器

  • SA:2022年Q1高通以 59.5% 的份額領(lǐng)跑基帶市場(chǎng)

    SA:2022年Q1高通以 59.5% 的份額領(lǐng)跑基帶市場(chǎng)

    根據(jù)Strategy Analytics統(tǒng)計(jì),高通以59.5%的份額牢牢占據(jù)基帶芯片市場(chǎng)第一,聯(lián)發(fā)科份額為26.7% 排名第二,三星LSI以5.8% 的份額排名第三。

    來源:本站 時(shí)間:2022-09-01 所屬欄目:行業(yè)資訊
  • 供應(yīng)和收購MOSFET模塊 FS03MR12A6MA1B/FS03MR12A6MA1BBPSA1 CoolSiC? 汽車 MOSFET 1200V

    供應(yīng)和收購MOSFET模塊 FS03MR12A6MA1B/FS03MR12A6MA1BBPSA1 CoolSiC? 汽車 MOSFET 1200V

    明佳達(dá)供求碳化硅MOSFET模塊FS03MR12A6MA1B、FS03MR12A6MA1BBPSA1,全新原裝,質(zhì)量保證,價(jià)格優(yōu)勢(shì),有庫存呆料需處理的歡迎聯(lián)系,公司還回收一系列模塊如:5G、新能源、物聯(lián)網(wǎng)、車聯(lián)網(wǎng)、車規(guī)級(jí)、基站、通信、人工智能、射頻、家電、晶閘管、醫(yī)療、工業(yè)、藍(lán)牙5.0、以太網(wǎng)、…

    來源:本站 時(shí)間:2022-09-01 所屬欄目:公司動(dòng)態(tài)
  • 碳化硅MOSFET模塊 6 N-溝道 FS03MR12A6MA1LB、FS03MR12A6MA1LBBPSA1 1200V 400A

    碳化硅MOSFET模塊 6 N-溝道 FS03MR12A6MA1LB、FS03MR12A6MA1LBBPSA1 1200V 400A

    深圳明佳達(dá)電子公司供應(yīng)及收購碳化硅MOSFET模塊 6 N-溝道 FS03MR12A6MA1LB、FS03MR12A6MA1LBBPSA1 1200V 400A 20mW 底座安裝 AG-HYBRIDD-2。

    來源:本站 時(shí)間:2022-09-01 所屬欄目:公司動(dòng)態(tài)
  • 全新原裝 FS05MR12A6MA1B FS05MR12A6MA1BBPSA1 汽車 MOSFET 模塊 1200V 200A

    全新原裝 FS05MR12A6MA1B FS05MR12A6MA1BBPSA1 汽車 MOSFET 模塊 1200V 200A

    明佳達(dá)供應(yīng)和回收汽車MOSFET模塊 FS05MR12A6MA1B FS05MR12A6MA1BBPSA1,只回收正規(guī)渠道貨源,如代理商、貿(mào)易商、終端工廠等,不接受不是正規(guī)渠道貨源,如有庫存呆料需處理的請(qǐng)聯(lián)系我們:QQ1668527835,電話13410018555,郵箱chen13410018555@qq.com、sales@hkmjd.com

    來源:本站 時(shí)間:2022-09-01 所屬欄目:公司動(dòng)態(tài)
  • 蘋果完成 iPhone 14/Pro 系列衛(wèi)星通信硬件測(cè)試,華為 Mate 50/Pro 系列率先搭載

    蘋果完成 iPhone 14/Pro 系列衛(wèi)星通信硬件測(cè)試,華為 Mate 50/Pro 系列率先搭載

    據(jù)天風(fēng)國際分析師稱,蘋果確實(shí)在為 iPhone 14 / Pro 系列開發(fā)衛(wèi)星通信,并在量產(chǎn)前完成了該功能的硬件測(cè)試。

    來源:本站 時(shí)間:2022-08-31 所屬欄目:行業(yè)資訊
  • Thread Group最新發(fā)布的其第三版無線網(wǎng)絡(luò)協(xié)議支持Matter標(biāo)準(zhǔn)并優(yōu)化智能家居和建筑的無縫連接

    Thread Group最新發(fā)布的其第三版無線網(wǎng)絡(luò)協(xié)議支持Matter標(biāo)準(zhǔn)并優(yōu)化智能家居和建筑的無縫連接

    Thread 1.3.0版本可以簡(jiǎn)化物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備制造商的研發(fā)和部署投資,并為用戶提供無縫鏈接體驗(yàn)。

    來源:本站 時(shí)間:2022-08-31 所屬欄目:行業(yè)資訊
  • 東芝推出第三代SiC MOSFET 面向更高效工業(yè)設(shè)備

    東芝推出第三代SiC MOSFET 面向更高效工業(yè)設(shè)備

    東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布,推出新款功率器件——第三代碳化硅(SiC)MOSFET “TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導(dǎo)通電阻,可顯著降低開關(guān)損耗。

    來源:本站 時(shí)間:2022-08-31 所屬欄目:行業(yè)資訊
  • 供應(yīng)EasyPACK? F3L600R10W4S7FC22 F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT模塊

    供應(yīng)EasyPACK? F3L600R10W4S7FC22 F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT模塊

    明佳達(dá)供應(yīng)EasyPACK? F3L600R10W4S7FC22 F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT模塊,全新原裝,價(jià)格優(yōu)勢(shì),質(zhì)量保證人,有興趣的請(qǐng)聯(lián)系陳先生qq1668527835,電話13410018555,郵箱chen13410018555@qq.com/sales@hkmjd.com!

    來源:本站 時(shí)間:2022-08-31 所屬欄目:公司動(dòng)態(tài)
  • IGBT模塊 F3L400R10W3S7B11_F3L400R10W3S7B11BPSA1 950V 底座安裝模塊

    IGBT模塊 F3L400R10W3S7B11_F3L400R10W3S7B11BPSA1 950V 底座安裝模塊

    明佳達(dá)電子供應(yīng)和回收IGBT模塊 F3L400R10W3S7B11 F3L400R10W3S7B11BPSA1 950V 底座安裝模塊,公司只回收正規(guī)渠道貨源,如代理商、貿(mào)易商、終端工廠等,不接受不是正規(guī)渠道貨源。

    來源:本站 時(shí)間:2022-08-31 所屬欄目:公司動(dòng)態(tài)
  • 工業(yè)電源管理 LMG3422R050RQZR 集成驅(qū)動(dòng)器 600V 50mΩ GaN FET

    工業(yè)電源管理 LMG3422R050RQZR 集成驅(qū)動(dòng)器 600V 50mΩ GaN FET

    明佳達(dá)電子供應(yīng)和回收工業(yè)電源管理 LMG3422R050RQZR LMG3422R050 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的 600V 50mΩ GaN FET ,如您有庫存要出售,歡迎聯(lián)系我們。

    來源:本站 時(shí)間:2022-08-31 所屬欄目:公司動(dòng)態(tài)
  • 模擬芯片巨頭ADI宣布漲價(jià)

    模擬芯片巨頭ADI宣布漲價(jià)

    ADI將提高全線產(chǎn)品價(jià)格,包括新訂單及現(xiàn)有預(yù)訂需求,但并未透露具體的漲幅,漲價(jià)將從自2022年9月25日起開始執(zhí)行。

    來源:本站 時(shí)間:2022-08-30 所屬欄目:行業(yè)資訊
  • 臺(tái)積電:3納米即將量產(chǎn),2納米目標(biāo)2025量產(chǎn)

    臺(tái)積電:3納米即將量產(chǎn),2納米目標(biāo)2025量產(chǎn)

    臺(tái)積電總裁今日現(xiàn)身2022臺(tái)積電技術(shù)論壇并提到,臺(tái)積電3納米思考良久,維持FF架構(gòu)并即將量產(chǎn),至于2納米也可保證2025年量產(chǎn),屆時(shí)會(huì)是最領(lǐng)先技術(shù)。

    來源:本站 時(shí)間:2022-08-30 所屬欄目:行業(yè)資訊
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