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進口原裝瑞薩 R5F100GEAFB 超低功耗 16位微控制器 - MCU

進口原裝瑞薩 R5F100GEAFB 超低功耗 16位微控制器 - MCU

來源:本站時間:2023-04-28瀏覽數(shù):

深圳市明佳達電子有限公司供應進口原裝瑞薩 R5F100GEAFB 16位微控制器 - MCU,真正的低功耗平臺(66μA/MHz,僅有RTC和LVD的操作為0.57μA),適用于一般用途的應用。特性超低功耗技術:VDD =單電源電壓:1.6V至5.5V HALT模式STOP模式SNOOZE模式RL78 CPU內核: CISC架構,…

深圳市明佳達電子有限公司供應進口原裝瑞薩 R5F100GEAFB 16位微控制器 - MCU,真正的低功耗平臺(66μA/MHz,僅有RTC和LVD的操作為0.57μA),適用于一般用途的應用。


特性

超低功耗技術:

VDD =單電源電壓:1.6V至5.5V 

HALT模式

STOP模式

SNOOZE模式

RL78 CPU內核: 

CISC架構,帶3級流水線

最短指令執(zhí)行時間

可以從0.03125μs(32MHz運行,高速片上振蕩器)改為超低30.5μs(32.768kHz運行速度)(帶子系統(tǒng)時鐘)

1MB地址空間

通用寄存器:(8位寄存器,8個)×4組

片上RAM:2KB至32KB

代碼閃存:

代碼閃存:16KB至512KB

塊尺寸:1KB

禁止塊擦除和重寫(安全功能)

片上調試功能

自編程(具有啟動交換功能/閃存屏蔽窗口功能)

數(shù)據閃存:

數(shù)據閃存:4KB至8KB

后臺操作 (BGO):可以從程序存儲器執(zhí)行指令,同時重寫數(shù)據閃存

重寫次數(shù):1,00萬次(典型值)

重寫電壓:VDD=1.8V至5.5V

高速片上振蕩器:

從32MHz、24MHz、16MHz、12MHz、8MHz、6MHz、4MHz、3MHz、2MHz和1MHz中選擇

高精度:±1.0%(VDD =1.8V至5.5V,TA=-20°C至85°C)

片上二進制編碼小數(shù) (BCD) 校正電路


R5F100GEAFB 微控制器可用于從家用電器和消費類電器到工業(yè)設備、醫(yī)療保健和安全等各種應用。


如有興趣,歡迎致電與我們聯(lián)系:

聯(lián)系人:陳先生

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