深圳市明佳達電子有限公司 供應、【回收IGBT模塊】FAM65CR51DZ2 2個獨立式 650V 33A 160W 通孔 APMCD-B16。產(chǎn)品詳情：FAM65CR51DZ2 是一款配置有2個獨立式的IGBT模塊。該功率集成模塊 (PIM) 利用汽車點火IGBT和智能功率模塊 (IPM) 開發(fā)方面的豐富經(jīng)驗以及封裝專業(yè)技術制造…
深圳市明佳達電子有限公司 供應、【回收IGBT模塊】FAM65CR51DZ2 2個獨立式 650V 33A 160W 通孔 APMCD-B16。
產(chǎn)品詳情：
FAM65CR51DZ2 是一款配置有2個獨立式的IGBT模塊。該功率集成模塊 (PIM) 利用汽車點火IGBT和智能功率模塊 (IPM) 開發(fā)方面的豐富經(jīng)驗以及封裝專業(yè)技術制造而成，是完全符合嚴格行業(yè)標準的電源解決方案。此外，該模塊解決方案為用戶提供了針對硅和封裝的完全集成供應鏈，可確保高質量和成本效率。
該功率集成模塊僅包括電源開關和整流器，有各種拓撲可供選擇。常見的拓撲包括具有輸入橋式整流和制動的三相逆變器級、升壓轉換器和多電平逆變器。
特性：
? 高速1200V和650V IGBT，具有低VCESAT
? 有帶預涂熱界面材料 (TIM) 和不帶預涂TIM的選項可供選擇
? 帶壓配引腳和焊接引腳的選項
? 旁路和反向并聯(lián)二極管
? 提供焊接引腳和壓配引腳選項
應用：
? 太陽能逆變器
? UPS逆變器
? MPPT升壓級
? 電池充電器升壓級
FAM65CR51DZ2 器件規(guī)格：
IGBT 類型：-
配置：2 個獨立式
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：33 A
功率 - 最大值：160 W
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：-
不同 Vce 時輸入電容 (Cies)：4.86 nF @ 400 V
輸入：標準
NTC 熱敏電阻：無
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：通孔
封裝/外殼：12-SSIP 裸焊盤，成型引線
供應商器件封裝：APMCD-B16
基本產(chǎn)品編號：FAM65
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