明佳達(dá)公司全新原裝供應(yīng)Micron LPDDR4內(nèi)存 MT53E2G32D4DT-046 AAT:A 動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 LPDDR4 64G 2GX32 FBGA QDP制造商：Micron Technology Inc.產(chǎn)品型號：MT53E2G32D4DT-046 AAT:A描述：IC DRAM 64GBIT 2.133GHZ FBGA詳細(xì)描述：SDRAM - Mobile LPDDR4 存儲器 IC 64Gb…
明佳達(dá)公司全新原裝供應(yīng)Micron LPDDR4內(nèi)存 MT53E2G32D4DT-046 AAT:A 動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 LPDDR4 64G 2GX32 FBGA QDP
制造商：Micron Technology Inc.
產(chǎn)品型號：MT53E2G32D4DT-046 AAT:A
描述：IC DRAM 64GBIT 2.133GHZ FBGA
詳細(xì)描述：SDRAM - Mobile LPDDR4 存儲器 IC 64Gb 2.133 GHz
Micron LPDDR4存儲器詳情
Micron LPDDR4內(nèi)存優(yōu)化用于解決電池供電應(yīng)用中的功耗問題。與DDR4相比，這些內(nèi)存器件的峰值帶寬快33%。與標(biāo)準(zhǔn)DRAM相比，LPDDR4內(nèi)存在待機(jī)模式下的功耗降低至1/5。這些內(nèi)存器件采用多芯片封裝（MCP）和封裝體疊層（PoP）設(shè)計，可節(jié)省PCB空間。LPDDR4內(nèi)存器件優(yōu)化了x16、x32和x64配置，可為某些應(yīng)用節(jié)省BOM。LPDDR4內(nèi)存在性能、功耗、延遲和物理空間之間實現(xiàn)了完美平衡，因此非常節(jié)能。這些LPDDR4內(nèi)存器件適合用于手持設(shè)備、電池供電應(yīng)用和超便攜設(shè)備。
產(chǎn)品屬性
產(chǎn)品種類: 動態(tài)隨機(jī)存取存儲器
類型: SDRAM Mobile - LPDDR4
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: VFBGA-200
數(shù)據(jù)總線寬度: 32 bit
組織: 2 G x 32
存儲容量: 64 Gbit
最大時鐘頻率: 2.133 GHz
電源電壓-最大: 1.1 V
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 105 C
系列: MT53E
產(chǎn)品類型: DRAM
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