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推出英飛凌MOSFET IPW60R017C7 600V CoolMOS? C7功率晶體管

推出英飛凌MOSFET IPW60R017C7 600V CoolMOS? C7功率晶體管

來源:本站時間:2023-09-18瀏覽數(shù):

深圳市明佳達電子有限公司進口原裝推出英飛凌MOSFET IPW60R017C7 600V CoolMOS? C7功率晶體管產(chǎn)品描述IPW60R017C7 CoolMOS?C7 是高電壓功率 MOSFET 的革命性技術(shù),根據(jù)超級結(jié) (SJ) 原理設(shè)計,由英飛凌技術(shù)公司率先推出。600V CoolMOS? C7 系列融合了領(lǐng)先的 SJ MOSFET …

深圳市明佳達電子有限公司進口原裝推出英飛凌MOSFET IPW60R017C7 600V CoolMOS? C7功率晶體管


產(chǎn)品描述

IPW60R017C7 CoolMOS?C7 是高電壓功率 MOSFET 的革命性技術(shù),根據(jù)超級結(jié) (SJ) 原理設(shè)計,由英飛凌技術(shù)公司率先推出。


600V CoolMOS? C7 系列融合了領(lǐng)先的 SJ MOSFET 供應(yīng)商的豐富經(jīng)驗和一流的創(chuàng)新技術(shù)。


特征描述

開關(guān)損耗參數(shù)減少,如 Q G、C oss、E oss

最佳品質(zhì)因數(shù) Q G*R DS(on)

開關(guān)頻率增加

世界上最佳的 R (on)*A

堅固體二極管


優(yōu)勢

可在不損失效率的情況下增加開關(guān)頻率

為輕負載和滿載效率測量顯示關(guān)鍵參數(shù)

開關(guān)頻率加倍會將磁性元件的尺寸減半

對于相同的 R DS(on),包裝更小

可用于硬開關(guān)和軟開關(guān)拓撲結(jié)構(gòu)中的更多位置


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